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Ramtron推出超低功耗非揮發性記憶體

本文作者:Ramtron       點擊: 2012-02-07 14:17
前言:

世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈推出世界上最低功耗的非揮發性記憶體。16 kb器件的型號為FM25P16是業界能耗最低的非揮發性記憶體,為功耗敏感的系統設計開啟了一全新的設計視野FM25P16Ramtron低能耗記憶體系列中的首款產品,其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一並具有快速讀/寫特性和次數幾乎是無限的耐用性。


 

Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示非揮發性F-RAM記憶體的快速寫入能力與創新性IC設計相結合讓我們可以實現到目前為止功耗最低的非揮發性記憶體,典型的有效電流只有約3微安。藉由採用Ramtron的低能耗F-RAM記憶體,對功耗敏感的應用如無線感測器節點、遠端儀錶、保健產品以及新興的能量收集應用等,就能夠更高的頻率寫入數量級的資料,並同時降低系統功耗。

 

Ramtron 低能耗記憶體的優點隨系統寫入資料的次數更加頻繁而大大增加,與串列EEPROM不同FM25P16能夠以匯流排速率執行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得FM25P16適用於同時要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非揮發性記憶體應用。

 

關於FM25P16 低能耗記憶體

 

FM25P16採用先進的鐵電製程,獲得達到100萬億 (1e14) /寫次數的幾乎無限的耐用性,且資料能夠可靠地保存10年。FM25P16採用快速串列周邊介面(SPI)1MHz頻率的全速匯流排速率運作。要獲得與F-RAM 低能耗記憶體系統優勢相關的資訊,請至www.ramtron.com/go/FRAM-advantage 網站下載相關的白皮書。

 特性

l   16Kb 鐵電非揮發性RAM採用2,044 x 8位元結構

l   無限的讀/寫次數

l   資料保存10

l   無延遲 (NoDelay™) 寫入

 

超低功耗運作

l   1.8 3.6V 運作電壓

l   3.2 μA (典型) 有效電流 @ 100 kHz

l   1.2 μA (典型) 待機電流

 

串列周邊介面 - SPI

l   頻率高達1 MHz

l   SPI 模式 0 & 3

 

工業標準配置

l   工業溫度範圍為 -40°C +85°C

l   綠色”/RoHS標準8 SOIC封裝

 

價格和供貨

 

RamtronFM25P16記憶體樣品在供應中訂購10,000每個FM25P16起價為0.99美元

 

關於Ramtron公司和F-RAM技術

 

Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 公司總部設在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯是一家無晶圓廠半導體公司設計、開發和銷售用於全球廣泛產品應用及市場的專業半導體記憶體和整合式半導體解決方案。

 

Ramtron是在半導體產品中採用鐵電材料的先驅企業開發了新類型非揮發性記憶體稱作鐵電隨機存取記憶體即F-RAMRamtron的鐵電記憶體結合了動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的高速度和非揮發性資料儲存特性即無電存儲資料的能力。自從這項技術商業化以來Ramtron已經在嚴苛的應用領域銷售了數億個F-RAM器件,包括汽車安全和娛樂系統、可攜式醫療設備、工業程序控制系統、智慧電錶和消費性印表機墨水匣。F-RAM技術是市場上功效最高的非揮發性記憶體技術有望為超高效電池供電產品和能量收集應用的開發鋪平道路。

 

要瞭解更多資訊,請瀏覽公司網站www.ramtron.com

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