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ROHM開發與傳統相比減少50%的世界最小電晶體「VML0604」

本文作者:ROHM公司       點擊: 2014-04-22 09:52
前言:
實現了低導通電阻化對於智慧型手機與穿戴式裝置的小型化、高功能化的大貢獻
2014年4月22日--ROHM公司(總公司位於京都市)此次專為智慧型手機與穿戴式裝置等要求小型、薄型的所有電子機器,研發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」(0.6mm×0.4mm、高度0.36mm)。

本產品已從10月開始出貨樣品(樣品價格80日圓/個),預計2014年6月起開始量產、月產能為1000萬個。此外,生産據點為前製程在ROHM公司(京都市)與ROHM  Apollo公司(福岡縣)、後製程則在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。
 

 
背景
近年來,以智慧型手機與穿戴式裝置為首的電子機器市場,設備的小型化與高功能化持續進展,對於搭載的電子零件部品一向要求小型化、薄型化。
另一方面,電晶體則除了貼合的穩定性、封裝的加工精度等技術課題之外,由於無法擴大搭載元件的尺寸、導通電阻上升的因素,產品線僅限於耐壓20V的產品。
 
特點
1. 實現世界最小尺寸、大幅減低安裝面積
此次,藉由新封裝與元件的新製程化,成功地開發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」(0.6mm×0.4mm、高度0.36mm)。
在封裝方面,内部構造的最佳化、透過導入高精度封裝加工技術,相較之前最小電晶體封裝的VML0806(0.8mm×0.6mm、高度0.36mm),嵌入面積減低50%。做為電晶體封裝成為世界最小尺寸。
 
新封裝預計開展至小訊號MOSFET,將有助於設備的省空間化、高密度化。
 

 
2.藉由確保端子間隔,嵌入性也良好
隨著小型化的進展,基板的嵌入變得困難,此次藉由確保端子間隔0.2mm,
維持了良好的嵌入性。
 


3. 小型化之外,也達成世界最佳的低導通電阻
由於執行封裝的小型化,限制了可搭載元件的尺寸。元件尺寸小的情況下,導通電阻將變得非常高、維持以往的小訊號電晶體性能也困難。
不過,本產品藉由於元件上採用新製程,做為耐壓30V產品的超小型電晶體,可達成世界最高性能※的低導通電阻0.25Ω(VGS=4.5V時)。
 

 
4. 也追加了耐壓40~60V產品,
實現了豐富的產品線
相較以往,即使高耐壓也可維持低導通電阻,全新加入耐壓40~60V產品、擴充了產品線。


 
 
 
術語説明
・MOSFET
擁有高速交換特點的一種電晶體。
・導通電阻
於閘極-源極間施加任意電壓時的汲極-源極間的電阻值。數值小電流比較流通、損失少。

 

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