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Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極體,提升開關電源設計能效和可靠性

本文作者:Vishay       點擊: 2023-05-29 14:12
前言:
器件採用MPS結構設計,額定電流4 A~ 40 A,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低
2023年5月10日--日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣佈,推出17款新型第三代650 V 碳化矽(SiC)肖特基二極體。Vishay Semiconductors器件採用混合PIN Schottky(MPS)結構設計,具有高浪湧電流保護能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助於提升開關電源設計能效和可靠性。
 
 
日前發佈的新一代SiC二極體包括4A至40A器件,採用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 外掛程式封裝和D²PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由於採用MPS結構,器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V,正向壓降與電容電荷乘積,即電源能效重要優值係數(FOM),相比上一代解決方案降低17%。
 
與接近的競品解決方案相比,二極體室溫下典型反向漏電流低30%,高溫下低70%。因此降低了導通損耗,確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極體不同,第三代器件幾乎沒有恢復拖尾,從而能夠進一步提升效率。
 
與擊穿電壓相當的矽二極體相比,SiC二極體熱導率高,反向電流低,反向恢復時間短。二極體反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響,可在+175 °C高溫下工作,不會因開關損耗造成能效變化。
 
器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS標準,無鹵素,通過2000小時高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱迴圈溫度迴圈測試,測試時間和迴圈次數是AEC-Q101規定的兩倍。
 

產品編號

IF(AV) (A)

IFSM (A)

IF VF (V)

QC (nC)

配置

封裝

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

D²PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

D²PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

D²PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

10

60

1.46

29

D²PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

D²PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

16

104

1.5

44

D²PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

D²PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

10

60

1.46

29

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

16

104

1.5

44

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2 x 8

54

1.5

22

共陰極

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2 x 10

60

1.46

29

共陰極

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2 x 20

110

1.5

53

共陰極

TO-247AD 3L

 
新型SiC二極體現可提供樣品並已實現量產,供貨週期為八周。
 
VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品製造商之一,這些產品對於汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航太和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.™。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的"財富1,000 強企業"。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站 www.Vishay.com 을 참조 바랍니다.
The DNA of tech™ 是Vishay Inter technology的商標。
 
 

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