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寬能隙功率電晶體開發低熱阻路徑

本文作者:Bernd Schmoelzer       點擊: 2020-12-31 14:20
前言:
為 DSO-20-85 和 HSOF-8-3 TO 無導線封裝的

許多應用對更高功率密度的需求,正持續推動寬能隙半導體的發展。相較於矽基標準功率電晶體,以寬能隙 (WBG) 材料為基礎的裝置,例如碳化矽(SiC) 或氮化鎵 (GaN),具有明顯的優勢。目前正在使用矽氮化鎵 (GaN-on-Si) 平台來實現高電子遷移率電晶體 (HEMT),以創造出能提供更高功率密度來滿足未來市場需求的功率電晶體。

氮化鎵的優點
HEMT ( 例如英飛凌的 CoolGaN e-mode   HEMT) 與其他類型電晶體之間的主要差異之一是,HEMT 是橫向形成而非垂直形成的。加上氮化鎵的材料特性,例如更高的崩潰電場 ( 約為矽的 10 倍 ),以及幾乎是矽的兩倍的電子遷移率,這帶來一種具有幾個有利特徵的結構。HEMT 提供低 10 倍的輸出電荷和柵極電荷,以及零反向恢復電荷,並具有線性輸出電容特性。

圖 1:GaN-on-Si 寬能隙 HEMT 結構
 
■作者:Bernd Schmoelzer / 英飛凌科技應用工程師
               Fabian Schnoy / 英飛凌科技表面黏著技術工程師
              Wei Deng / 英飛凌科技高壓 GaN 資深產品行銷經理
 
 

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