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LDO 基礎知識:雜訊 - 前饋電容器如何提高系統性能

本文作者:德州儀器       點擊: 2022-04-21 14:10
前言:
在LDO 基礎知識:雜訊 - 降噪引腳如何提高系統性能一文中,我們討論了如何使用與基準電壓 (CNR/SS) 並聯的電容器降低輸出雜訊和控制壓擺率。在本文中,我們將討論降低輸出雜訊的另一種方法:使用前饋電容器 (CFF)。

什麼是前饋電容器?
前饋電容器是與電阻分壓器頂部電阻並聯的可選電容器,如圖1所示。
 
圖 1:使用前饋電容器的低壓降穩壓器 (LDO)
 
類似於降噪電容器 (CNR/SS),添加前饋電容器具有多種影響。這些影響包括改善雜訊、穩定性、負載回應和電源抑制比 (PSRR)。應用報告“使用前饋電容器和低壓降穩壓器的優缺點”詳細介紹了這些優點。另外,還值得注意的是,前饋電容器僅在使用可調LDO時才可行,因為電阻器網路是外部的。
 
改善雜訊
作為電壓調節控制環路的一部分,LDO的誤差放大器使用電阻器網路(R1R2)來提高基準電壓的增益,類似於驅動場效應電晶體柵極的同相放大器電路,以使 (VOUT = VREF × (1 + R1/R2)。這種增加意味著基準的直流電壓將按1 + R1/R2係數提高。在誤差放大器的頻寬內,基準電壓的交流元件(例如雜訊)也會被放大。
 
通過在頂部電阻器 (CFF) 上添加電容器,會為特定頻率範圍引入交流分流器。換句話說,該頻率範圍中的交流元件會保持在單位增益範圍內。請記住,您使用的電容器的阻抗特性將決定這個頻率範圍。
 
圖 2 演示了TPS7A91雜訊的減小(通過使用不同的CFF值)。
 
圖 2:TPS7A91 雜訊與頻率和CFF值的關係
 
通過在頂部電阻器上添加一個100nF電容器,您可將雜訊從9μVRMS降至4.9μVRMS。
 
改進穩定性和瞬態回應
添加CFF還會在LDO回饋環路中引入零點 (ZFF) 和極點 (PFF),使用公式1和2計算得出:
 
ZFF = 1 / (2 × π × R1 × CFF)            (1)
PFF = 1 / (2 × π × R1 // R2 × CFF)          (2)
 
將零點置於發生單位增益的頻率之前可提高相位裕度,如圖3所示。
 
圖 3:僅使用前饋補償的典型LDO的增益/相點陣圖
 
您可以看到,如果沒有ZFF,單位增益會更早出現,大約為200kHz。通過添加零點,單位增益頻率在大約300kHz處略微向右推,但相位裕度也有所改善。由於PFF位於單位增益頻率的右側,因此其對相位裕度的影響將是最小的。
 
在提高LDO的負載瞬態回應後,額外的相位裕度將很明顯。通過增加相位裕度,LDO 輸出將出現較少的振鈴,穩定速度會更快。
 
改善PSRR
根據零點和極點的位置,您還可以戰略性地減少增益滾降。圖3顯示了零點對從 100kHz開始的增益滾降的影響。通過增加頻帶的增益,您還將改善該頻帶的環路回應,從而使特定頻率範圍的PSRR得到改善。請參閱圖4。
 
圖 4:TPS7A8300 PSRR與頻率和CFF值間的關係
 
如您所見,增加CFF電容會將零點向左推,從而改善環路響應和較低頻率範圍內的相應PSRR。
 
當然,您必須選擇CFF的值以及ZFFPFF的對應位置,以避免導致不穩定性。您可以通過遵循資料表中規定的CFF限制來避免不穩定性,但我們通常建議選擇介於10nF和 100nF之間的值。較大的CFF可能會帶來前面提到的優缺點應用報告中概述的其他挑戰。
 
表 1 列出了一些關於CNRCFF如何影響雜訊的經驗法則。

參數

雜訊

 

低頻率

(<1kHz)

中頻率

(1kHz-100kHz)

高頻率

(>100kHz)

降噪電容器 (CNR)

+++

+

沒有影響

前饋電容器 (CFF)

+

+++

+

表 1:CNR CFF的優勢與頻率間的關係
 
結語
添加前饋電容器可以改善雜訊、穩定性、負載響應和PSRR。當然,您必須仔細選擇電容器以保持穩定性。與降噪電容器配合使用時,可以大大提高交流性能。這些只是優化電源時需要牢記的一些工具。

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