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安森美半導體的碳化矽二極體提供更高能效、更高功率密度與更低的系統成本

本文作者:安森美       點擊:447 2018-03-01 15:49
前言:
650 V 碳化矽肖特基二極體(Schottky diode)的開關效能出色且更可靠
2018年3月1日--推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二極體(Schottky diode)系列產品,擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗,並輕鬆實現元件並聯。
 

 
安森美半導體最新發佈的650 V SiC 二極體系列提供6安培(A)到50 安培(A)的表面黏著(surface mount)和穿孔封裝。所有二極體均提供零反向恢復(reverse recovery)、低正向壓(forward voltage)、不受溫度影響的電流穩定性、高浪湧(surge)容量和正溫度係數(temperature coefficient)。
 
工程師在設計用於太陽能光伏(solar PV)反相器(inverter)、電動車/油電混合動力車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC 和升壓轉換器時,面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。全新的二極體能為工程師解決這些挑戰。
 
這些650 V元件提供的系統優勢包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓(VF)及SiC二極體的無反向恢復電荷能減少功率損耗,因此提高能效。SiC二極體更快的恢復速度使開關速度更高,因此能夠縮減磁性元件和其他被動元件(passive component)的尺寸,實現更高的功率密度與更小的整體電路設計。此外,SiC二極體能承受更高的浪湧電流,並在 -55至 +175°C的工作溫度範圍內提供穩定性。
 
安森美半導體的SiC肖特基二極體具有獨特的專利終端結構,加強可靠性並提升穩定性和耐用性。此外,二極體提供更高的雪崩能量(avalanche energy)、業界最高的非箝制電感性開關(unclamped inductive switching;UIS)能力和最低的漏電流(leakage current)。
 
安森美半導體MOSFET業務部資深副總裁暨總經理Simon Keeton表示:「安森美半導體新推出的650 V SiC二極體系列與公司現有的1200 V SiC元件相輔相成,為客戶帶來更廣泛的產品。SiC技術利用寬能帶隙(wide band gap)材料的獨特特性,比矽更實惠,其穩健的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的解決方案。我們的客戶將受益於這些簡化、效能更佳、尺寸設計更小的新元件。」
 
封裝與定價
650 V SiC二極體元件提供 DPAK、TO-220 和 TO-247 封裝,每千件的單價為1.30美元至14.39美元。

如欲了解更多安森美半導體SiC產品組合如何實現更高的能效和可靠性,請參閱碳化矽(SiC) 產品網頁。
 
歡迎蒞臨安森美半導體於美國 Applied Power Electronics Conference(APEC)的 #601號展區,觀看SiC MOSFET 與二極體的現場展示,顯示安森美半導體最新的仿真建模技術如何精確匹配實際的元件運作。
 
關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:
http://www.onsemi.com
 
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