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ROHM全新4引腳封裝SiC MOSFET

本文作者：ROHM       點擊： 2019-12-01 00:19
前言：
ROHM全新4引腳封裝SiC MOSFET
  
 
 

 

影片介紹 :
近年來隨著AI和IoT的發展與普及，市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。ROHM開發出全新溝槽閘結構SiC MOSFET產品，採用4引腳封裝，可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝相比，開關損耗可降低約35％，有助於大幅降低各類應用裝置的功耗，適用於有高效率需求的伺服器電源、基地台、太陽能變流器及電動車充電站等應用。

 

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