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200 V、480 A MOSFET 提升電動車充電系統效率
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影片介紹:
探索 MMIX1T500N20X4 X4 級超結功率 MOSFET——專為工業充電基礎設施及能源儲存系統中的大電流、高效率設計而打造。憑藉 200 V 阻斷電壓、480 A 額定電流以及超低的 1.99 mΩ RDS(on)，此 MOSFET 能降低導通損耗，並透過減少並聯元件的需求來簡化設計。其基於 SMPD-X 陶瓷的隔離封裝具備優異的熱阻特性，並採用頂部散熱設計，可實現緊湊且高功率密度的佈局。非常適合用於工業充電、直流負載開關、工業電源供應器及再生能源儲能系統。
探索 MMIX1T500N20X4 X4 級超結功率 MOSFET——專為工業充電基礎設施及能源儲存系統中的大電流、高效率設計而打造。憑藉 200 V 阻斷電壓、480 A 額定電流以及超低的 1.99 mΩ RDS(on)，此 MOSFET 能降低導通損耗，並透過減少並聯元件的需求來簡化設計。其基於 SMPD-X 陶瓷的隔離封裝具備優異的熱阻特性，並採用頂部散熱設計，可實現緊湊且高功率密度的佈局。非常適合用於工業充電、直流負載開關、工業電源供應器及再生能源儲能系統。
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