氮化鎵(GaN) 市場可概略分為光電和功率兩大塊，現階段，在發光二極體(LED)、射頻(RF) 元件和無線充電較具優勢，作為功率轉換、類比應用和RF 能量位移(displacement) 之用。氮化鎵在LED 照明和顯示器等光電領域擁有高滲透率，但著眼於它能最小化功率損耗並具有小型化、高速開關和高擊穿電壓等特性，今後功率半導體的成長空間相對更大，初期鎖定「低電壓之高階產品」。隨著技術推進、工作電壓拉高，未來在新能源、智能電網、資通訊設備和消費電子前景看悄，無線和自動化設備發展以及汽車GaN LED 汰換潮，將成為推動氮化鎵的主力。
受限於成本、產量和可靠性問題，氮化鎵比碳化矽(SiC) 起步晚，因具有更高的電子遷移率(Electron Mobility)、屬高電子遷移率電晶體(HEMT)，理論上能以高於SiC 的速度進行切換、實現高速開關操作，確保電氣系統的高效率操作。功率器件中的高能效損失，主要由高器件電阻和開關轉換引起的傳導損耗所致；物理學家表示，如果將具有高擊穿電壓和低導通電阻的氮化鎵，推廣至所有電子設備，全球用電量可減少10～25% ！此外，GaN 的低導電性能以緊湊尺寸維持高能量應用，進一步實現電路小型化或在同一區域擠進更多的氮化鎵。
圖:GaN 功率元件的應用拓展，將分兩路演進
資料來源：Yole Développement；
