市調機構Market Study Report 新近發佈一份報告指出：2018 年碳化矽(SiC) 與氮化鎵(GaN) 功率器件市場規模約3.2 億美元，預計2025 年將達到3.08億美元，預測期內的年複合成長率(CAGR) 為32.5%。然而，當人們將SiC 與GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正(PFC)、尤其是上千伏特(V) 的高壓電源產品；而GaN 多用於高功率密度DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體(HEMT) 以及600V 以上的HEMT 混合串聯開關。
碳化矽發展較早，相較於矽和砷化鎵(GaAs)，碳化矽更適合用於高溫、高功率器件，亦可作為氮化鎵的外延基板。當電子從「價帶」(valence band，指絕對零度中電子最高能量的區域) 移動到「傳導帶」(conduction band，電子經由外在電場加速形成電流)並用於電流時需要能量，寬能隙(WBG) 的能量遠高於矽——相較於矽的1.1eV ( 電子伏特)，SiC需要3.2 eV；意味著在相同尺寸下，這些額外能量可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，蕭特基二極體(SBD)、高功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET) 是主要市場。
圖:Si vs. SiC 之耐壓比較
