碳化矽功率半導體領先製造商聯合碳化矽(UnitedSiC) 執行長Chris Dries 表示，在寬能隙(WBG)功率元件的市場上，碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) 將在此後十年中持續快速成長，兩者並非取代關係或互斥選擇，而是每種材料系統都會找到合適的應用。UnitedSiC 預期碳化矽將持續佔據650V 以上應用的主導地位，而氮化鎵將持續在650V 以下找到許多應用來取代矽元件。兩者最大的區別在於：SiC功率元件利用垂直電流流動來經過主動元件層，並進入高導電基板；而GaN 是採用橫向電晶體結構，通常用於價格較低的矽基板。
照片人物：UnitedSiC 執行長Chris Dries
