氮化鎵場效應電晶體」(eGaN®FET) 而聞名的宜普電源轉換公司(EPC)，又怎麼看待氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC) 的關係？ EPC 首席執行長及共同創辦人Alexander Lidow 博士斷言，兩者市場幾乎很少重疊——氮化鎵技術和元件將主導650 V 及以下的元件的應用，而碳化矽將主導900 V 及以上的元件的應用。至於650 ～ 900V 之間的市場則會由氮化鎵、碳化矽及絕緣閘雙極電晶體(IGBT) 分食。值得留意的是，氮化鎵元件採用橫向結構，因此所有電氣端子( 包括：閘極、汲極和源極) 都位於同一表面上，好處多多。
照片人物:EPC 首席執行長及共同創辦人Alexander Lidow 博士
