安森美針對節能減排等相關應用,有推出低損耗、高耐壓的SiCMOSFET。可以提供單個元件、模組和一整套高能效的解決方案,包括650V、900 V 和1200 V SiC MOSFET及相應的門極驅動。
安森美提供SiC 元件從襯底到系統的一整套方案。150/200mm SiC 晶圓 & 外延(epi)現在完全由安森美內部製造;晶圓現在準備好從150 mm 向200 mm 遷移;提供全面的SiC 二極體、SiC MOSFET、混合SiC 和全SiC模組及壓鑄模等先進的封裝選項,能效高,損耗小,性價比高,且都符合汽車和工業標準。