英飛凌：汽車電氣化驅動寬能隙功率半導體大規模應用 (看全文請點擊)
未來數年中，不同的半導體技術將並存於市場中，在不同的應用場景中分別具有特殊的優勢。
在牽引逆變器中，基於不同的里程、效率和成本考量，SiC 和矽基IGBT 各有各的發揮空間。例如，SiC 用於後輪驅動，可提升巡航里程；而矽基IGBT 則用於前輪，以便優化成本。在極端情況下， 例如車載充電器中，在同一架構下，會同時採用多達五種不同的半導體技術，包括IGBT，矽基二極體、矽基MOSFET，超接面 MOSFET 和 SiC MOSFET。
照片人物: 英飛凌工業電源控制事業部大中華區高級市場總監沈璐
