以碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 為主的「寬能隙」(WBG) 半導體以損耗少、效能高著稱，然而想要將這些強項發揮到極致，需從材料、晶圓、元件、模組到系統等多個環節共同努力，並非一句宣佈「採用」就能輕鬆達陣。
材料是碳化矽一大關鍵，為掌握品質並力保供料無虞，國際整合元件製造 (IDM) 大廠莫不傾力投入發展。甫獲鴻海科技入股的盛新材料科技即透露，光是材料就佔了他們總製造成本的五成！加上長晶過程不易，用的又是高純度、高價材料，為免製程徒勞及浪費，亟需「非破壞式」的晶體／晶圓檢測技術相助——僅經由表面加工處理、不須損傷晶體就能觀測品質和基板 (Substrate) 缺陷，且可檢測刮痕、電阻率等表面特性以提高元件良率，基板的優劣尤為關鍵。
元件商同樣重申「量測」的茲事體大，且與量測廠商同聲強調「雙脈衝」(Double Pulse) 的絕對必要性。這是由於中、下游廠商更關心的是切換損耗 (Switch Loss)、閘極充放電容的電荷量等動態參數；偏偏大部分功率元件會因感性負載 (inductive load) 大而產生反向恢復電流，導致單一脈衝無法精準辨別之故。雙脈衝測試有兩大關鍵：一是軟體整合，二是為用戶的待測物提供客製化解決方案並擔保治具品質，以免因接觸不良而誤導測試結果。
模組暨系統廠商亦附和「可靠度」的重要，包括零組件硬體本身的能力、材料、製程，以及人力組織的軟實力，這需要長時間測試與累積，並經過分析驗證之後才知學理是否正確？此外，還得評估產品或系統整個生命週期 (Life Cycle) 的「RAM」成本——可靠度 (Reliability)、可用度 (Availability)、可維護度 (Maintainability)，及其後所衍生出的風險管理，尤須留意會重複出現的「系統性失效」，這有賴「系統工程」確保每次輸入、處理、輸出的操作流程及結果。
最後，有趣的是，在訪談的過程中，有些廠商樂觀看待台灣擁有完整的碳化矽供應鏈以及中、美以外的「第三地生產」優勢，但也有業者先進認為中國大陸的電子電路基礎扎實又有政策扶持，極可能異軍突起；復考慮到功率器件尺寸與切換損失的問題，未來對於「高操作頻率」的市場需求或更高，相較之下反而更看好氮化鎵的遠景……。更多關於如何將「寬能隙」效能發揮到極致以及市場前景的討論，盡在本期【產業特輯】。
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量測 WBG 動態參數，非 Double Pulse 不可！
