晶圓代工領導廠商中芯國際集成電路製造有限公司與ARM共同宣佈，中芯國際的90奈米LL (低漏電) 與G (主流) 製程，已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro™ 低耗電/高密度及Advantage™ 高效能產品。雙方達成的協議進一步擴展彼此間之合作，透過ARM網站免費提供解決方案，協助業者開發尖端設計與解決方案。
中芯國際設計服務部門副總裁Paul Ouyang表示：「延續與ARM之間的合作，使我們能夠提供一項更完備的生產藍圖，包括為客戶提供ARM高品質並且經過晶片驗證過的Physical IP 。與ARM的合作，讓顧客能運用中芯國際的90奈米製程，同時採用ARM Metro與Advantage系列產品，協助客戶縮短設計時間、降低風險、並加快產品上市時程。」
ARM Metro低耗電/高密度IP是專為可攜式電子裝置所設計；而Advantage 除了低耗電之表現外，更提供高速之運作效能，滿足消費性、通訊、以及網路市場中各種應用的需求。Metro與Advantage系列產品都含有ARM的standard cell 以及多種記憶體編譯器。Metro standard cell包括電源管理套件，支援各種動態與漏電功耗節省技術，例如像時脈控制閘、多重電壓模式、以及功耗控制閘。Metro記憶體編譯器提供類似的先進功耗節省功能。
Metro與Advantage系列IP包括ARM陣容完整的設計檢視與開發模組，能整合許多業界主流電子設計自動化（EDA）工具。這些檢視方案針對Metro與Advantage產品提供功能、時序、以及功耗等方面的資訊，藉以涵蓋各種運作條件，讓研發業者能建置複雜的耗電率管理系統，在其SoC中主動控制動態與漏電功耗。
ARM Physical IP行銷副總裁Neal Carney表示：「中芯國際的先進技術發展藍圖持續為顧客提供各種建置解決方案，滿足業者對現今SoC設計的需求。中芯國際在採用ARM之Metro與Advantage系列產品，提供客戶獲得針對消費性、通訊協定、以及網路應用推出最佳化的Physical IP解決方案。」
供應時程
ARM Metro與Advantage IP設計檢視方案將在2006年第四季開放讓授權，透過ARM網站供免費下載使用。初期Front End設計檢視方案，讓客戶能提早開始設計與模擬作業，預定在2006年第二季底推出。
中芯國際設計服務部門副總裁Paul Ouyang表示：「延續與ARM之間的合作，使我們能夠提供一項更完備的生產藍圖，包括為客戶提供ARM高品質並且經過晶片驗證過的Physical IP 。與ARM的合作，讓顧客能運用中芯國際的90奈米製程，同時採用ARM Metro與Advantage系列產品，協助客戶縮短設計時間、降低風險、並加快產品上市時程。」
ARM Metro低耗電/高密度IP是專為可攜式電子裝置所設計；而Advantage 除了低耗電之表現外，更提供高速之運作效能，滿足消費性、通訊、以及網路市場中各種應用的需求。Metro與Advantage系列產品都含有ARM的standard cell 以及多種記憶體編譯器。Metro standard cell包括電源管理套件，支援各種動態與漏電功耗節省技術，例如像時脈控制閘、多重電壓模式、以及功耗控制閘。Metro記憶體編譯器提供類似的先進功耗節省功能。
Metro與Advantage系列IP包括ARM陣容完整的設計檢視與開發模組，能整合許多業界主流電子設計自動化（EDA）工具。這些檢視方案針對Metro與Advantage產品提供功能、時序、以及功耗等方面的資訊，藉以涵蓋各種運作條件，讓研發業者能建置複雜的耗電率管理系統，在其SoC中主動控制動態與漏電功耗。
ARM Physical IP行銷副總裁Neal Carney表示：「中芯國際的先進技術發展藍圖持續為顧客提供各種建置解決方案，滿足業者對現今SoC設計的需求。中芯國際在採用ARM之Metro與Advantage系列產品，提供客戶獲得針對消費性、通訊協定、以及網路應用推出最佳化的Physical IP解決方案。」
供應時程
ARM Metro與Advantage IP設計檢視方案將在2006年第四季開放讓授權，透過ARM網站供免費下載使用。初期Front End設計檢視方案，讓客戶能提早開始設計與模擬作業，預定在2006年第二季底推出。
