國內嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財領導廠商力旺電子(股票代號：3529)宣布，其嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash除可廣泛使用於MCU、消費性電子產品外，近期內已成功實現於觸控晶片(Touch Panel Controller IC)與電池容量偵測晶片(Gauge IC)之客戶產品上，提供具成本優勢之嵌入式快閃記憶體解決方案，協助客戶降低成本、提升產品競爭力，快速搶得領先契機，目前採用NeoFlash技術之觸控晶片與電池容量偵測晶片已進入試產階段。
近來消費性電子市場逐漸升溫，美國消費性電子協會預估全球2011年消費性電子可達9,640億美元，年成長率為10%，而根據電子時報最新統計分析，單就兩岸廠商觸控晶片出貨量，2011年上半年即較去年同期成長高達237.4%，發展潛力驚人。因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求，IC晶片嵌入使用NeoFlash矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本。以Gauge IC為例，嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式，記錄耗電程度，協助發揮電池之最佳效能，且因製程簡化，使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。此外，NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits)，特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機、平板電腦、微控制器等應用市場，可積極協助客戶推出多樣化產品，滿足客戶不同需求。
力旺電子之核心技術NeoBit、NeoFlash與NeoEE具有製程簡單、成本低廉與保密性佳的絕對優勢。應用端廠商將力旺電子之矽智財產品嵌入晶片後，只需對晶片進行庫存管理，不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理，更毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間，能具體縮短開發週期，積極協助客戶加速Time to Market之時程。其次，嵌入式矽智財因經過封裝，不容易被盜拷，對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特，且與邏輯製程完全相容，故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道，更大幅降低製程複雜度與生產成本。
展望未來，可預期NeoFlash與NeoEE之營收貢獻將漸次發酵，挹注產品營收。自NeoFlash系列矽智財推出迄今，已深獲台灣、美國、日本等地客戶之高度肯定，目前0.18微米之邏輯與高壓製程均已可供量產，而0.13微米與0.11微米則預計於2011年底通過驗證與導入量產。
近來消費性電子市場逐漸升溫，美國消費性電子協會預估全球2011年消費性電子可達9,640億美元，年成長率為10%，而根據電子時報最新統計分析，單就兩岸廠商觸控晶片出貨量，2011年上半年即較去年同期成長高達237.4%，發展潛力驚人。因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求，IC晶片嵌入使用NeoFlash矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本。以Gauge IC為例，嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式，記錄耗電程度，協助發揮電池之最佳效能，且因製程簡化，使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。此外，NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits)，特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機、平板電腦、微控制器等應用市場，可積極協助客戶推出多樣化產品，滿足客戶不同需求。
力旺電子之核心技術NeoBit、NeoFlash與NeoEE具有製程簡單、成本低廉與保密性佳的絕對優勢。應用端廠商將力旺電子之矽智財產品嵌入晶片後，只需對晶片進行庫存管理，不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理，更毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間，能具體縮短開發週期，積極協助客戶加速Time to Market之時程。其次，嵌入式矽智財因經過封裝，不容易被盜拷，對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特，且與邏輯製程完全相容，故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道，更大幅降低製程複雜度與生產成本。
展望未來，可預期NeoFlash與NeoEE之營收貢獻將漸次發酵，挹注產品營收。自NeoFlash系列矽智財推出迄今，已深獲台灣、美國、日本等地客戶之高度肯定，目前0.18微米之邏輯與高壓製程均已可供量產，而0.13微米與0.11微米則預計於2011年底通過驗證與導入量產。
