首家進駐中科后里園區的力晶半導體於31日與中部科學工業園區開發籌備處共同舉行聯合動土典禮。力晶將斥資三千億元，興建四座十二吋晶圓廠（Fab 12C/D/E/F）並創造逾五千個工作機會，以具體行動展現該公司積極投資台灣的決心，結合新竹科學園區既有三座十二吋晶圓廠的龐大先進產能，更凸顯力晶躋身世界級記憶體大廠的企圖心。
聯合動土典禮由中部科學工業園區開發籌備處與力晶公司共同舉行，應邀貴賓包括政務委員何美玥、台中縣長黃仲生、經濟部工業局局長陳昭義、新竹科學園區管理局局長李界木等官員，以及日本爾必達公司(Elpida Co.)社長坂本幸雄（Renesas Technology Co.）榮譽會長長澤紘一等國際高科技大廠高階主管，均出席觀禮。
力晶董事長黃崇仁表示，為了強化技術及成本優勢，力晶積極進行十二吋晶圓廠產能擴充，除了既有的12A廠與12B廠每月投片量已達七萬片以上；向旺宏電子購買的12M廠也將於九十五年下半年裝機投產。預計九十五年底，力晶十二吋投產月產能將超過十萬片以上。於后里新建之12C廠與12D廠滿載月產能分別可達七萬片十二吋晶圓。將來，力晶在中科的四座十二吋晶圓廠可提供五千至六千個就業機會，將與后里地區共享產業升級、經濟繁榮的果實。
因應環保、節能與企業營運關連日趨緊密的潮流，黃崇仁更指出，力晶配合國際環 保公約的實施，積極推動綠色產品生產及溫室氣體(GHG)盤查減量，並具體落實「節能減廢、資源回收」，全廠廢棄物回收率達82﹪。節水方面，成為業界第一家承諾85%以上製程回水率公司。今年，更獲環保署頒發「第十四屆企業環保獎」，象徵我國企業環境保護最高榮譽。未來，力晶也將持續引進最高標準作業程序，以台灣產業環保表率自許，落實地球公民之精神。
力晶總經理謝再居亦指出，在DRAM製程技術上，移轉自日本爾必達(Elpida)公司的90奈米DDR II產品已順利量產，除了單片晶圓裸晶片數目世界第一，製程良率與品質亦領先競爭者。此外，配合自身產能之大幅擴充以及新技術的引進，預計力晶的DRAM市場佔有率將於今年大幅成長，同時也將切入高容量快閃記憶體的市場。
位於中科后里園區的力晶半導體新廠，第一期將興建採雙子星設計的兩座十二吋晶圓廠（Fab 12C/D），未來還將視營運發展情況，繼續增建另外二座新廠（Fab 12E/F），整個力晶后里廠區的規劃總產能將高達每月二十八萬片十二吋晶圓。
聯合動土典禮由中部科學工業園區開發籌備處與力晶公司共同舉行，應邀貴賓包括政務委員何美玥、台中縣長黃仲生、經濟部工業局局長陳昭義、新竹科學園區管理局局長李界木等官員，以及日本爾必達公司(Elpida Co.)社長坂本幸雄（Renesas Technology Co.）榮譽會長長澤紘一等國際高科技大廠高階主管，均出席觀禮。
力晶董事長黃崇仁表示，為了強化技術及成本優勢，力晶積極進行十二吋晶圓廠產能擴充，除了既有的12A廠與12B廠每月投片量已達七萬片以上；向旺宏電子購買的12M廠也將於九十五年下半年裝機投產。預計九十五年底，力晶十二吋投產月產能將超過十萬片以上。於后里新建之12C廠與12D廠滿載月產能分別可達七萬片十二吋晶圓。將來，力晶在中科的四座十二吋晶圓廠可提供五千至六千個就業機會，將與后里地區共享產業升級、經濟繁榮的果實。
因應環保、節能與企業營運關連日趨緊密的潮流，黃崇仁更指出，力晶配合國際環 保公約的實施，積極推動綠色產品生產及溫室氣體(GHG)盤查減量，並具體落實「節能減廢、資源回收」，全廠廢棄物回收率達82﹪。節水方面，成為業界第一家承諾85%以上製程回水率公司。今年，更獲環保署頒發「第十四屆企業環保獎」，象徵我國企業環境保護最高榮譽。未來，力晶也將持續引進最高標準作業程序，以台灣產業環保表率自許，落實地球公民之精神。
力晶總經理謝再居亦指出，在DRAM製程技術上，移轉自日本爾必達(Elpida)公司的90奈米DDR II產品已順利量產，除了單片晶圓裸晶片數目世界第一，製程良率與品質亦領先競爭者。此外，配合自身產能之大幅擴充以及新技術的引進，預計力晶的DRAM市場佔有率將於今年大幅成長，同時也將切入高容量快閃記憶體的市場。
位於中科后里園區的力晶半導體新廠，第一期將興建採雙子星設計的兩座十二吋晶圓廠（Fab 12C/D），未來還將視營運發展情況，繼續增建另外二座新廠（Fab 12E/F），整個力晶后里廠區的規劃總產能將高達每月二十八萬片十二吋晶圓。
