全球材料、應用技術及服務的綜合供應商--Dow Corning日前宣佈在日本獲得一項重要專利，範圍涵蓋介電層與金屬層之間的碳化矽阻障薄膜應用，全世界最先進的半導體元件都會使用這項技術。Dow Corning十多年前率先展開碳化矽阻障層應用研發，並於1995年2月向美國專利商標局提出這項原創性發明的專利申請。
碳化矽阻障層技術對於會使用銅質雙嵌刻 (dual damascene) 導體和低k絕緣體的先進元件生產極為重要。碳化矽阻障層可以防止晶片導線結構中的銅金屬元素擴散進入和污染其附近的介電薄膜層，讓晶片製造廠商因而能夠繼續製造體積更小和速度更快的元件。
Dow Corning元件製造材料事業單位的全球行銷經理Phil Dembowski表示：「在日本取得碳化矽阻障層專利是一個重要的里程碑，它代表Dow Corning在半導體領域的創新成果和長期貢獻正式獲得肯定。此外，這項專利還能保障我們的權益，防止其它廠商在未獲適當授權的情形下使用或推廣這項技術。」
Dow Corning不僅具備豐富的創新經驗，同時在低k介電材料、阻障層薄膜和矽基石墨材料等其它方面也擁有多項重要專利，這些都能促使先進半導體技術的持續發展。Dembowski進一步表示：「Dow Corning投入大量資源在新材料和技術的探索與研發，而這正是我們對協助先進半導體製造技術發展所做堅定承諾的一部份。」
這項最新日本專利的專利號碼是JP 3731932 B，專利名稱則為「碳化矽金屬擴散阻障層」 (Silicon Carbide Metal Diffusion Barrier Layer)。它在美國的姊妹專利 (U.S. #5818071) 已被正式引用過53次來支援其它的美國專利，充份顯示出此項技術的重要性。
碳化矽阻障層技術對於會使用銅質雙嵌刻 (dual damascene) 導體和低k絕緣體的先進元件生產極為重要。碳化矽阻障層可以防止晶片導線結構中的銅金屬元素擴散進入和污染其附近的介電薄膜層，讓晶片製造廠商因而能夠繼續製造體積更小和速度更快的元件。
Dow Corning元件製造材料事業單位的全球行銷經理Phil Dembowski表示：「在日本取得碳化矽阻障層專利是一個重要的里程碑，它代表Dow Corning在半導體領域的創新成果和長期貢獻正式獲得肯定。此外，這項專利還能保障我們的權益，防止其它廠商在未獲適當授權的情形下使用或推廣這項技術。」
Dow Corning不僅具備豐富的創新經驗，同時在低k介電材料、阻障層薄膜和矽基石墨材料等其它方面也擁有多項重要專利，這些都能促使先進半導體技術的持續發展。Dembowski進一步表示：「Dow Corning投入大量資源在新材料和技術的探索與研發，而這正是我們對協助先進半導體製造技術發展所做堅定承諾的一部份。」
這項最新日本專利的專利號碼是JP 3731932 B，專利名稱則為「碳化矽金屬擴散阻障層」 (Silicon Carbide Metal Diffusion Barrier Layer)。它在美國的姊妹專利 (U.S. #5818071) 已被正式引用過53次來支援其它的美國專利，充份顯示出此項技術的重要性。
