國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會-半導體專家學者齊聚一堂
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2006-04-24 00:00
前言:
2006年國際超大型積體電路技術、系統暨應用(VLSI-TSA)研討會,今(24)起在新竹國賓飯店登場,未來兩天半將有自國內外產學研各界的專家學者,發表69篇攸關半導體產業的技術現況、前瞻研究與趨勢。
開幕式由大會主席、加州大學教授李貫平主持,清大科管院院長史欽泰、耶魯大學教授馬佐平、聯電資深副總孫世偉、華邦電子副總林晨曦、旺宏電子資深副總盧志遠、力晶半導體協理卓志臣、南亞科技處長林正平…等半導體界專家學者近550人與會。會中,頒發歷來第一個「優異學生論文獎」,獲獎的是台大畢業、現就學於美國柏克萊大學的林崇勳,由於提出前瞻的立論「Compact Modeling of FinFETs Featuring Independent-Gate Operation Mode」,獲得評審委員一致肯定。
大會邀請前來的三位重量級大師所做的專題演講,均提到現有技術的生命週期,未來發展趨勢,以及面對的挑戰,內容鏗鏘有力。日本東京工業大學的Hiroshi Iwai教授(開發出不同世代的CMOS, Bipolar及Bi-CMOS重要元件,曾發表過三百多篇論文,得獎無數)以「二十一世紀的半導體製造技術」為題,提出矽材相關技術仍將主宰半導體產業二十年,然而,當微縮技術發展到極限,革命性的特殊製程、非常結構與前所未見的創新材料都將紛紛出現。美國德州儀器的資深副總與技術長Hans Stork(曾擔任德州政府的技術顧問,目前還擔任Sematech的董事及SRC的董事長)發表「45奈米的製程與產品整合的挑戰」,提到要實現CMOS微縮所帶來的好處,需同時顧及低成本、高良率,更要克服高製程整合的複雜度。比利時微電子研究所的Eric Beyne博士剖析「三維立體系統整合技術」,樂觀看待三維堆疊電子構裝技術,將可滿足下世代半導體高速化及異質整合的特殊需求。
除了主題演講,大會今年特別規畫了受全球產學研矚目,且積極投入技術開發的下世代軟性電子與創新記憶體兩大議題,邀請10位專家發表精闢的研究報告。
此外,安排了記憶體和製程兩場技術教學課程,有關記憶體技術部分,Flash由美國IBM的Chung Lam、DRAM由德國英飛凌的Wolfgang Mueller講授,先進CMOS技術由美國IBM的Meikei Ieong、製程技術由台積電的米玉傑主講,講師均有豐富的實務經驗,課程精彩,學員受益匪淺。