安森美半導體推出HighQ矽-銅整合被動元件製程技術以及IPD產品設計工具

產品出貨量每年超過300億顆的全球半導體方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor）宣佈擴充先進製程技術，提供HighQ™矽-銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務，這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能，但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多。

安森美半導體的HighQ™ IPD製程技術相當適合用來生產被動元件，例如便攜式與無線應用產品中需要更高效能以便取得更長電池使用時間的平衡非平衡轉換器、耦合器以及濾波器等。

「直到現在，設計工程師在為電路設計選用元件時，還是經常得為了要提供具有價格競爭力的消費性產品而必須在效能上做出犧牲。」安森美半導體製造服務業務總經理Rich Carruth表示，「砷化鎵-金被動元件製程雖然能夠提供較好的效能表現，但卻由於成本太高而無法應用在大量生產的消費性產品，例如行動電話與其他無線設備上。典型的矽銅被動元件雖然在成本上比砷化鎵-金更佔優勢，但效能表現卻不佳，採用安森美半導體 HighQ™製程的被動元件為設計工程師提供了相當好的第三種選擇，那就是以比砷化鎵-金更有競爭力的價格提供比傳統矽銅技術更高的Q值。」

製程介紹
IPD製程目前已經在安森美半導體位於美國的世界級八吋晶圓廠導入生產，這個晶圓廠擁有業界同級最佳的原型製作與量產週期時間，同時配備有先進技術良率與失敗分析設備以及系統。

 HighQ™製程技術提供了銅質較厚的電感器、MIM電容器(0.62 fF/um2)以及TiN電阻器(9 ohms/square)，是一款能夠符合完整可靠度評估並展現解決方案穩固度的經驗證可靠製程。
• 循環溫度-65°C/150°C
• 金屬、Vias 與 MIM固有可靠度
• 高溫運作壽命(150°C, 504 小時)
• ESD規格：HBM, MM

IPD產品 「安森美半導體可以提供給想要立即導入量產以及需要客製化產品設計客戶HighQ™製造服務。」Carruth表示，「我們快速的原型製造可以幫助客戶在最快6週以後就能夠由設計導入生產。」

最能夠取得HighQ製程技術優勢的產品包括應用在便攜式與無線產品中的平衡非平衡轉換器、濾波器與耦合器等。

安森美半導體目前正進行一系列應用在降低高速串列介面EMI高頻寬 HighQ™濾波器的開發，預計將在今年夏天推出樣品，並於2007年第4季進入量產。

IPD Design設計工具
安森美半導體提供有IPD技術全功能設計套件給採用公司製造服務的客戶使用，這個設計套件可以進行實際第一顆產出晶片結果的有效評估與模擬，並包含有標準的Cadence設計工具：
• PCELL產生器、檢視器以及其他
• Cadence Assura DRC, LVS
• Cadence RFDE環境搭配安捷倫ADS模型
• 由佈局到HFSS模擬環境的全自動轉換

能夠進行安森美半導體快速原型製造的設計工具目前正提供給可能的潛在客戶。

有關進一步的技術資訊請參考http://www.onsemi.com或聯繫Frank Myers(電郵地址：frank.myers@onsemi.com)