全球IC製造晶圓清洗系統的領導廠商FSI International宣佈，具備ViPR™技術的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統已獲國際論文驗證，是超高劑量電漿輔助摻雜（PLAD）離子植入整合時的關鍵步驟。此一論文是於今年6月8至13日在美國加州蒙特利舉行的第十七屆國際離子佈植技術學術研討會期間，由Hynix、Varian、Nanometrics與FSI四大廠商所共同發表。對於因曝露在高劑量離子轟擊(ion bombardment)的硬化光阻而言，ViPR製程擁有優異的移除能力，同時不會像傳統技術一樣造成表面損害與材料損失。
「此一產品的成功令我們深感振奮，特別是ViPR技術在促成像是雙多晶閘極DRAM之類關鍵性高劑量應用時所扮演的重要角色。」FSI主席暨執行長Don Mitchell表示，「我們不僅可大幅減少因wet-ash-wet多步驟製程造成的材料損失，藉由使用單步驟製程，更可降低成本、時間以及製程的複雜性。」
電漿輔助摻雜離子植入技術可協助製造廠商持續縮小元件尺寸；然而，傳統的ash-wet製程卻會使得光阻難以移除。過去用以解決此一問題的wet-ash-wet三步驟製程則會在後續製程中造成無法接受的材料損失。FSI的專利ViPR技術是一種單步驟全濕式的製程，可提高晶圓的化學溫度與反應，以全面移除由電漿輔助摻雜製程所產生的光阻與多摻雜物表面層，同時保留最多的摻雜物。免除灰化與灰化清洗步驟不僅可使製程更快更簡單，更可降低總持有成本。
有關本文描述的技術資訊出自第十七屆國際離子佈植技術學術研討會論文集中由Y. Jeon等人合著的「超高劑量CMOS應用的關鍵技術」一文；而此一論文的摘要可透過FSI 網站 http://www.fsi-intl.com/press/itt_paper_req.php取得。至於完整論文將刊登於美國物理學會（American Institute of Physics）2008年秋季大會論文集。
「此一產品的成功令我們深感振奮，特別是ViPR技術在促成像是雙多晶閘極DRAM之類關鍵性高劑量應用時所扮演的重要角色。」FSI主席暨執行長Don Mitchell表示，「我們不僅可大幅減少因wet-ash-wet多步驟製程造成的材料損失，藉由使用單步驟製程，更可降低成本、時間以及製程的複雜性。」
電漿輔助摻雜離子植入技術可協助製造廠商持續縮小元件尺寸；然而，傳統的ash-wet製程卻會使得光阻難以移除。過去用以解決此一問題的wet-ash-wet三步驟製程則會在後續製程中造成無法接受的材料損失。FSI的專利ViPR技術是一種單步驟全濕式的製程，可提高晶圓的化學溫度與反應，以全面移除由電漿輔助摻雜製程所產生的光阻與多摻雜物表面層，同時保留最多的摻雜物。免除灰化與灰化清洗步驟不僅可使製程更快更簡單，更可降低總持有成本。
有關本文描述的技術資訊出自第十七屆國際離子佈植技術學術研討會論文集中由Y. Jeon等人合著的「超高劑量CMOS應用的關鍵技術」一文；而此一論文的摘要可透過FSI 網站 http://www.fsi-intl.com/press/itt_paper_req.php取得。至於完整論文將刊登於美國物理學會（American Institute of Physics）2008年秋季大會論文集。
