半導體製程設備、技術及支援服務供應商--FSI International 宣布推出新的選擇性氮化蝕刻製程，利用MAGELLAN®浸泡式清洗製程設備抑制氧化和矽晶侵蝕，避免蝕刻過程產生太多微粒。這些應用是使用客戶的晶圓在FSI實驗室所開發與驗證完成，此為該公司45奈米先進技術計劃的一部分，而這些應用對現有製程也很有幫助。
在半導體製造商持續將新元素和材料用於先進元件生產的同時，他們也增加氮化矽等標準材料的使用。為克服應變矽通道 (strained channel)工程等的整合挑戰，半導體製造商已開始將新的氮化層加入半導體製程，然而元件製造過程卻常須選擇性移除晶圓表面的某些氮化薄膜。半導體製造商在蝕刻氮化薄膜時，常需在提高選擇性和降低微粒數量之間做選擇。FSI的新製程正可提供製造商兩全其美的解決方案：他們既能擁有很高的蝕刻選擇性，又能保持很小的微粒數量。
FSI主席暨執行長Don Mitchell表示：「FSI不斷開發最先進和無與倫比的表面處理技術。在成功通過評估後，這些研發成果進一步證明MAGELLAN設備的優異製程能力。客戶對這些高度選擇性氮化移除製程的肯定，證明利用技術以促進應用將有很大的成長商機。」
MAGELLAN製程設備是一種8/12吋晶圓混用型機台 (bridge tool)，其所提供的最佳製程效能和組態配置能力可用來克服先進IC開發與製造的各種挑戰。FSI獨家擁有的表面張力梯度 (STG®) 洗濯/乾燥、SymFlow®蝕刻和MegaLens™超音波微粒移除技術為這套設備帶來領先業界的功能。MAGELLAN製程設備不會在任何表面留下水痕，它還提供精確均勻的薄膜蝕刻能力、超高的微粒去除效率和優異的瑕疵控制能力。MAGELLAN製程設備訂價從200到400萬美元，實際價格視採購數量和最終配備而定。
在半導體製造商持續將新元素和材料用於先進元件生產的同時，他們也增加氮化矽等標準材料的使用。為克服應變矽通道 (strained channel)工程等的整合挑戰，半導體製造商已開始將新的氮化層加入半導體製程，然而元件製造過程卻常須選擇性移除晶圓表面的某些氮化薄膜。半導體製造商在蝕刻氮化薄膜時，常需在提高選擇性和降低微粒數量之間做選擇。FSI的新製程正可提供製造商兩全其美的解決方案：他們既能擁有很高的蝕刻選擇性，又能保持很小的微粒數量。
FSI主席暨執行長Don Mitchell表示：「FSI不斷開發最先進和無與倫比的表面處理技術。在成功通過評估後，這些研發成果進一步證明MAGELLAN設備的優異製程能力。客戶對這些高度選擇性氮化移除製程的肯定，證明利用技術以促進應用將有很大的成長商機。」
MAGELLAN製程設備是一種8/12吋晶圓混用型機台 (bridge tool)，其所提供的最佳製程效能和組態配置能力可用來克服先進IC開發與製造的各種挑戰。FSI獨家擁有的表面張力梯度 (STG®) 洗濯/乾燥、SymFlow®蝕刻和MegaLens™超音波微粒移除技術為這套設備帶來領先業界的功能。MAGELLAN製程設備不會在任何表面留下水痕，它還提供精確均勻的薄膜蝕刻能力、超高的微粒去除效率和優異的瑕疵控制能力。MAGELLAN製程設備訂價從200到400萬美元，實際價格視採購數量和最終配備而定。
