ASM International N.V. 宣佈其已成功開發一項高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸其於關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。.
新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計，並透過專利的製程最適化技術達成產能的提升。新的製程已經在多間客戶工廠的製造環境當中實地運作，並且在不對薄膜和裝置效能產生負面衝擊的前提下，提升超過一倍的沉積率。此製程已獲實證可延伸至32nm製程節點，並對產能帶來同樣的效益。
「ALD製程令人滿意的原因是因為它能夠提供絕佳的流程控制、薄膜一致性和純度，」ASM電晶體產品部門產品經理Glen Wilk指出，「由於沉積率可以增加一倍以上，因此我們現在於32 nm 閘極電介質所能達成的產量已經可和MOCVD沉積法相彷，但同時又可以維持ALD層的品質。 Pulsar ALD 反應爐是業界在生產鉿基high-k閘極電介質方面的翹楚，而這項產能提升的成果將讓我們在22nm以上的領域也取得領導地位。」
新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計，並透過專利的製程最適化技術達成產能的提升。新的製程已經在多間客戶工廠的製造環境當中實地運作，並且在不對薄膜和裝置效能產生負面衝擊的前提下，提升超過一倍的沉積率。此製程已獲實證可延伸至32nm製程節點，並對產能帶來同樣的效益。
「ALD製程令人滿意的原因是因為它能夠提供絕佳的流程控制、薄膜一致性和純度，」ASM電晶體產品部門產品經理Glen Wilk指出，「由於沉積率可以增加一倍以上，因此我們現在於32 nm 閘極電介質所能達成的產量已經可和MOCVD沉積法相彷，但同時又可以維持ALD層的品質。 Pulsar ALD 反應爐是業界在生產鉿基high-k閘極電介質方面的翹楚，而這項產能提升的成果將讓我們在22nm以上的領域也取得領導地位。」
