諾發研發次45奈米高密度電漿間隙充填製程技術提供減少三倍中位數之缺陷密度

諾發系統在SPEED® Max高密度電漿化學氣相沉積間隙充填Gapfill平台上研發了次45奈米之反應室內沉積清洗一體程序，大大降低缺陷密度和無法控制的（OOC）缺陷粒子衝擊。其中製程的關鍵組成部分包括有效的三氟化氮傳遞和SPEED® Max獨特最佳化的「光亮」（線圈輔助電漿）和「黑暗」（遠端電漿）清洗製程，有效地清除製程環境內設立的目標位置。

當積體元件節點收縮，記憶體和邏輯元件中之介電介質間長寬比對無缺陷隙充填Gapfill技術是艱難的挑戰。在沉積過程中累積在反應室內的介電質薄膜可能成為缺陷粒子來源，所以需要加以有效地定期去除。如圖一所示，在陷隙充填Gapfill製程中隨機出現一個缺陷「殺手」事件，可能會導致電晶體和記憶封包介質隔離失效。在CMP 平坦化過程中，表面缺陷顆粒可以提供另一次增加「刮痕」失敗的機制。污染物或金屬導線沉積物在隨後的製程步驟可以填補這些空隙或刮痕，造成封包之間高漏電流路徑而引發低良率或元件故障的結果。由於這些隨機缺陷粒子會增加不定期的停機時間並推動加強監測和認證費用來減少系統的利用率，所以實現粒徑小於90奈米的缺陷粒子少於個位數的積效，將使積體元件製造商提高其45奈米產量的良率，也將是一個生產32奈米元件必備條件。

諾發新的SPEED® Max製程降低3倍的整體平均缺陷粒子數和百分之五十的不可控制缺陷粒子事件。圖二比較三個不同客戶間的不同技術節點的間隙充填Gapfill缺陷密度來看SPEED® Max製程積效結果，對隨機粒子事件的減少除了「光明」和「黑暗」的清洗程序之外，其使用含氟材料的恆溫環境來盡量減少產生缺陷粒子「開口」是另一要點。而多步清洗的另外一個額外好處為減少三氟化氮的使用，來進一步降低客戶的成本。

諾發的Gapfill業務部門技術主管Doug Hayden表示：「SPEED® Max的獨特45nm製程和設備大大降低間隙充填GapFill過程中間的缺陷顆粒數和無法控制的缺陷產生事件。 今天這種最新的創新技術改善系統正常運行時間和減少其三氟化氮的使用量來降低客戶的營運成本。」

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關於諾發高密度電漿化學氣相沉積技術
諾發的SPEED® Max系統擴展了度電漿化學氣相沉積應用到45和32奈米技術節點。該系統的恆反應室的設計，再加上一個遠端電漿源，能在反應室執行清洗前進行更多的晶圓間隙充填沉積，來提高每個系統的吞吐量。此外，SPEED® Max的多端口注射，連同電漿源分離技術，能在晶圓上執行客製化的一體沉積和刻蝕製程以獲得最佳沉積厚度和均勻的間隙充填Gapfill。