因應未來先進晶圓製造工藝對拋光技術上的各種挑戰，諾發系統獨資的子公司Peter Wolters GmbH ，最近開發出先進的拋光技術, 而其所採用之微線®AC-1500P³和AC-2000P³雙面矽晶片拋光（DSP）系統，將滿足半導體元件在22奈米及更先進製程對光罩技術要求。
目前半導體製造商開始導入32奈米量產，所以身為領先的晶圓拋光設備製造商,已就22nm矽晶片平坦度技術點上之需求深加考量。在這些新一代節點技術對最初晶圓的正反面形狀和表面平坦程度有著非常嚴格的要求。由於使用光學顯影技術來產生半導體元件圖騰，所以晶圓上每一區域平坦化的程度影響光束聚焦深度及製程的適用範圍。因此在先進的IC製造使用Site Frontside Least Squares Focal Plane Range metric（或SFQR ，見圖1 ）方法來定量化 “可接受矽晶片局部的水平平坦的程度”同時定義了矽晶片表面平整度。光罩製程通常要求SFQR值遠小於曝光光束的對焦深度。為了滿足當前32奈米光罩技術的需要，SFQR最大允許值在局部範圍為26毫米× 8毫米並且圍繞2毫米邊緣大小時通常小於30奈米。在這些先進的技術節點對雙面矽晶片拋光需要更低SFQR值。另一個對拋光的步驟的重要挑戰為控制晶片平行度（晶圓表面之正面和背面平行度）以保護圍繞在晶圓邊緣的每一個有效積體電路元件。
Peter Wolters將先進的工程構造，申請專利中的感應器和製程控制能力整合在其最新的拋光系統，提供AC-1500P³和AC-2000P³系統能達到SFQR最大價值小於20奈米以下來滿足22奈米光罩曝光技術需求（見圖2 ）。利用此一無應力研磨程序可達到出色的晶園正反面平行度。這項新製程控制技術提供了一個較均勻性的拋光製程，並將邊緣效應移除到1mm以外。當用於今天的4X奈米和3X奈米晶園製造，微線®(MicroLine®)技術所呈現晶圓平坦程度從改善暴光光束聚焦容許程度以及提高關鍵尺寸的控制,近進而增加曝光構圖良率和光罩曝光生產力,同時因易於通過量測機器掃瞄比對的一致性可降低驗機和設置時間。諾發工業應用部門執行副總裁Kay Petersen說明“MicroLine®的能對溫度和Eddy電流感測器所獲得之即時數據,可使我們能夠即時調整製程參數與拋光耗材來配合不同晶圓上的差異 ”。
欲了解更多有關Peter Wolters雙面基礎晶圓拋光技術，可至網頁www.NovellusTechNews.com 。
目前半導體製造商開始導入32奈米量產，所以身為領先的晶圓拋光設備製造商,已就22nm矽晶片平坦度技術點上之需求深加考量。在這些新一代節點技術對最初晶圓的正反面形狀和表面平坦程度有著非常嚴格的要求。由於使用光學顯影技術來產生半導體元件圖騰，所以晶圓上每一區域平坦化的程度影響光束聚焦深度及製程的適用範圍。因此在先進的IC製造使用Site Frontside Least Squares Focal Plane Range metric（或SFQR ，見圖1 ）方法來定量化 “可接受矽晶片局部的水平平坦的程度”同時定義了矽晶片表面平整度。光罩製程通常要求SFQR值遠小於曝光光束的對焦深度。為了滿足當前32奈米光罩技術的需要，SFQR最大允許值在局部範圍為26毫米× 8毫米並且圍繞2毫米邊緣大小時通常小於30奈米。在這些先進的技術節點對雙面矽晶片拋光需要更低SFQR值。另一個對拋光的步驟的重要挑戰為控制晶片平行度（晶圓表面之正面和背面平行度）以保護圍繞在晶圓邊緣的每一個有效積體電路元件。
Peter Wolters將先進的工程構造，申請專利中的感應器和製程控制能力整合在其最新的拋光系統，提供AC-1500P³和AC-2000P³系統能達到SFQR最大價值小於20奈米以下來滿足22奈米光罩曝光技術需求（見圖2 ）。利用此一無應力研磨程序可達到出色的晶園正反面平行度。這項新製程控制技術提供了一個較均勻性的拋光製程，並將邊緣效應移除到1mm以外。當用於今天的4X奈米和3X奈米晶園製造，微線®(MicroLine®)技術所呈現晶圓平坦程度從改善暴光光束聚焦容許程度以及提高關鍵尺寸的控制,近進而增加曝光構圖良率和光罩曝光生產力,同時因易於通過量測機器掃瞄比對的一致性可降低驗機和設置時間。諾發工業應用部門執行副總裁Kay Petersen說明“MicroLine®的能對溫度和Eddy電流感測器所獲得之即時數據,可使我們能夠即時調整製程參數與拋光耗材來配合不同晶圓上的差異 ”。
欲了解更多有關Peter Wolters雙面基礎晶圓拋光技術，可至網頁www.NovellusTechNews.com 。
