意法半導體和法國電子資訊技術實驗室CEA-LETI宣佈，法國經濟、工業和就業部長、中央和地方政府的代表、CEA-LETI和意法半導體齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市近郊的意法半導體Crolles分公司，慶祝Nano2012研發專案正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式，IBM是意法半導體和CEA-LETI的重要合作夥伴，分別與兩家公司簽署了重要的技術開發協議。
Nano2012是一項由意法半導體主導的公營部門與私營機構合作策略研發專案，聚集研究院和工業合作夥伴，得到法國中央政府、區域和地方政府的支持。專案旨在於創立全球最先進的研發群，開發新一代奈米電子半導體技術，用於製造尺寸大約為幾十奈米的晶片。
透過為歐洲企業提供從32奈米一直到22奈米的最先進且具有高度競爭力的CMOS技術，Nano2012合作專案以及其他全球領先的合作專案(如CATRENE)將對歐洲電子工業的持續成長做出重大貢獻。Nano2012專案始於2008年1月1日，到2012年12月31日結束，法國政府機構為這個為期五年的專案提供了部分資金；此外還有包括INRIA(法國國家電腦科學與控制研究院)、CNRS(國家科學研究中心)、大學和多家中小企業等其他參與者。
意法半導體和CEA-LETI有很長的研發合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發中心。作為一個領先的研究實驗室，CEA-LETI是學術研究與以市場為導向的意法半導體工業研發之間長期的重要交流橋樑。2007年7月，意法半導體加入以IBM設在紐約East Fishkill和 Albany的兩個研發中心為核心的半導體合作開發聯盟，這兩個中心開發32到 22奈米的低功耗CMOS核心製程。同時IBM加盟意法半導體的Crolles研發中心，開發具附加價值專用CMOS衍生技術。此外，在CMOS技術所需的材料和製程開發方面，CEA-LETI和IBM具有強大的實力與互補的專業知識，雙方正在CEA-LETI的格勒諾布爾(法國)分公司、IBM的 East Fishkill工廠(紐約)、意法半導體的 Crolles分公司(法國)以及Albany 的NanoTech研究中心(紐約)合作開發 22奈米以及22奈米以下的先進製程。
自Nano2012研發專案於2008年1月啟動以來，意法半導體和IBM交換了Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，並與CEA-LETI的研究人員在多個專案展開合作，包括32奈米和28 奈米CMOS核心製程、用於無線通訊的45奈米 RF（射頻）衍生技術以及用於汽車電子與智慧卡的65奈米非揮發性記憶體衍生技術。這些技術可降低現有通訊設備、消費性電子、電腦以及汽車電子的功耗，延長電池使用壽命，提高性能，為終端用戶提供更多功能和實用性。
Nano2012研發專案側重於為低功耗的專用CMOS衍生技術開發技術平台。這個技術平台包括把數十億個電晶體整合到一個單一晶片上所採用的製程，以及零組件資料庫，和利用這個製程高效設計頂尖電路的設計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的全球一流的研發團隊，意法半導體及其合作夥伴已擠身於該領域的全球前名，Nano2012的一個重要目標是擴大歐洲在該領域的領導地位。
具高附加價值的專用衍生技術是標準CMOS技術的重要差異化技術，使位於Grenoble-Isere的研發群在該領域保持領導地位是Nano2012研發專案的另一重要目標。
關於CEA-LETI
CEA是法國的一家國有科學研究機構，主要從事下面三個領域的研究活動：能源、資訊和醫療技術以及國防與安全。CEA的電子和資訊技術實驗室（LETI）與多家企業合作，透過技術創新和輸出提高企業的競爭力。LETI主攻微電子和奈米電子技術及其應用，例如，無線元件和系統、生物和醫療技術或光電產品。奈米電子技術和微機電系統(MEMS)是其核心業務。作為MINATEC卓越中心的一個主要成員，LETI擁有8,000 m² 的先進的無塵室，採用24/7模式以及 200 mm 和300 mm晶圓標準。LETI擁有1,200名員工，培訓150多名博士生，為合作夥伴培育200名技術人員。以為半導體工業創造價值為己任，LETI特別重視智慧財產權，擁有1,400多個專利。2008年合同收入2.1億歐元，沖銷超過75%的預算支出。詳情請瀏覽www.leti.fr.
Nano2012是一項由意法半導體主導的公營部門與私營機構合作策略研發專案，聚集研究院和工業合作夥伴，得到法國中央政府、區域和地方政府的支持。專案旨在於創立全球最先進的研發群，開發新一代奈米電子半導體技術，用於製造尺寸大約為幾十奈米的晶片。
透過為歐洲企業提供從32奈米一直到22奈米的最先進且具有高度競爭力的CMOS技術，Nano2012合作專案以及其他全球領先的合作專案(如CATRENE)將對歐洲電子工業的持續成長做出重大貢獻。Nano2012專案始於2008年1月1日，到2012年12月31日結束，法國政府機構為這個為期五年的專案提供了部分資金；此外還有包括INRIA(法國國家電腦科學與控制研究院)、CNRS(國家科學研究中心)、大學和多家中小企業等其他參與者。
意法半導體和CEA-LETI有很長的研發合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發中心。作為一個領先的研究實驗室，CEA-LETI是學術研究與以市場為導向的意法半導體工業研發之間長期的重要交流橋樑。2007年7月，意法半導體加入以IBM設在紐約East Fishkill和 Albany的兩個研發中心為核心的半導體合作開發聯盟，這兩個中心開發32到 22奈米的低功耗CMOS核心製程。同時IBM加盟意法半導體的Crolles研發中心，開發具附加價值專用CMOS衍生技術。此外，在CMOS技術所需的材料和製程開發方面，CEA-LETI和IBM具有強大的實力與互補的專業知識，雙方正在CEA-LETI的格勒諾布爾(法國)分公司、IBM的 East Fishkill工廠(紐約)、意法半導體的 Crolles分公司(法國)以及Albany 的NanoTech研究中心(紐約)合作開發 22奈米以及22奈米以下的先進製程。
自Nano2012研發專案於2008年1月啟動以來，意法半導體和IBM交換了Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，並與CEA-LETI的研究人員在多個專案展開合作，包括32奈米和28 奈米CMOS核心製程、用於無線通訊的45奈米 RF（射頻）衍生技術以及用於汽車電子與智慧卡的65奈米非揮發性記憶體衍生技術。這些技術可降低現有通訊設備、消費性電子、電腦以及汽車電子的功耗，延長電池使用壽命，提高性能，為終端用戶提供更多功能和實用性。
Nano2012研發專案側重於為低功耗的專用CMOS衍生技術開發技術平台。這個技術平台包括把數十億個電晶體整合到一個單一晶片上所採用的製程，以及零組件資料庫，和利用這個製程高效設計頂尖電路的設計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的全球一流的研發團隊，意法半導體及其合作夥伴已擠身於該領域的全球前名，Nano2012的一個重要目標是擴大歐洲在該領域的領導地位。
具高附加價值的專用衍生技術是標準CMOS技術的重要差異化技術，使位於Grenoble-Isere的研發群在該領域保持領導地位是Nano2012研發專案的另一重要目標。
關於CEA-LETI
CEA是法國的一家國有科學研究機構，主要從事下面三個領域的研究活動：能源、資訊和醫療技術以及國防與安全。CEA的電子和資訊技術實驗室（LETI）與多家企業合作，透過技術創新和輸出提高企業的競爭力。LETI主攻微電子和奈米電子技術及其應用，例如，無線元件和系統、生物和醫療技術或光電產品。奈米電子技術和微機電系統(MEMS)是其核心業務。作為MINATEC卓越中心的一個主要成員，LETI擁有8,000 m² 的先進的無塵室，採用24/7模式以及 200 mm 和300 mm晶圓標準。LETI擁有1,200名員工，培訓150多名博士生，為合作夥伴培育200名技術人員。以為半導體工業創造價值為己任，LETI特別重視智慧財產權，擁有1,400多個專利。2008年合同收入2.1億歐元，沖銷超過75%的預算支出。詳情請瀏覽www.leti.fr.
