工研院與美商應用材料攜手合作3DIC製程平台

全球首座的3DIC實驗室預計將在明年中登場期間，工研院與美商應用材料公司（Applied Material）在10月15日宣佈進行3DIC核心製程的客制化設備合作開發。這個彈性的開放製程平台，將整合3DIC的主流技術矽導通孔(Through-silicon Vias，TSV)製程流程，縮短積體電路及晶片開發時間，協助半導體廠商迅速地將先進晶片設計導入市場，進而大幅降低初期投資。

工研院院長李鍾熙表示，此次工研院3D IC開發初期能夠吸引國際半導體第一大製程設備廠商應用材料公司加入聯合研發，顯示工研院的研究能量受到國際的肯定，以及這個研發具有前瞻及未來性。以往我國半導體產業設備僅自行開發後端零組件，前端設備多為進口，此次在3DIC開發初期就有設備開發廠商投入，表示我們在前端設備就能掌握相關製程技術，可以為台灣半導體廠商主導3DIC關鍵製程，並為半導體產業展開另一波機會。

應用材料資深副總裁暨半導體設備事業群總經理藍迪爾  塔克(Randhir Thakur)表示：「結合舉足輕重的研究機構如工研院之力，能非常有效地精進3DIC技術，並將之整合到製造端。工研院選擇應用材料整套的矽導通孔(TSV) 設備，足以證明我們整合組裝3D IC堆疊技術獨步業界。在驗證過的系統上執行客戶先期研發產品，據以轉變成量產，指日可待。」

工研院電光所副所長洪勝富表示，3DIC是半導體未來10年重要發展動力，各國也多在先期發展階段。工研院從6年前率先投入3DIC研發，取得發展優勢。去年成立的先進堆疊系統與應用研發聯盟（Ad-STAC），是第一個跨產業整合的立體堆疊晶片研發平台，並在經濟部工業局的支持下，全力推動技術產業化。因此，陸續吸引國際設備大廠美商應材、SUSS MicroTec及Semitool等加入3DIC 實驗室試量產製程建置，共同發展3D整合技術，提供國際化的開放合作平台。與應用材料公司合作，有助於矽導通孔(TSV)技術的效能精進，並降低成本，帶動國內外3DIC相關產業加入，加速台灣在3DIC自主製程技術開發，先期掌握3DIC製程關鍵技術，提昇台灣半導體產業競爭優勢。
工研院主導的3D IC實驗室將建構完整及多樣化的製程能力，整線系統包括蝕刻、物理氣相沉積、化學機械研磨及電漿強化化學氣相沉積四大設備，這新設備將會用來製造與矽導通孔(TSV)技術相關的積體電路。工研院與應用材料公司將針對先鑽孔、後鑽孔以及顯露鑽孔的矽導通孔(TSV)製程流程做技術整合，提供最小線寬的蝕刻、最快速度的沈積、最穩定的製程研磨設備，協助聯盟的會員廠商迅速地將先進的晶片設計導入市場，進而大幅降低開發時間及初期投資。

新聞辭典
矽導通孔TSV (Through-Silicon Via)
TSV是3DIC堆疊式晶片的未來重點技術， TSV技術是透過以垂直導通來整合晶圓堆疊的方式,以達到晶片間的電氣互連，讓未來晶片如高樓般堆疊，節省空間。TSV技術主要是製造更小巧、節能、效能更高的晶片如CMOS影像感測器，以及無線通訊設備上需要堆疊記憶體與記憶/邏輯晶片。