在台灣舉行的國際半導體展 SEMICON Taiwan期間，陶氏化學公司 (NYSE:DOW) 旗下之陶氏電子材料發表其最新產品：化學機械研磨 (CMP)銅製程。全新製程結合陶氏化學獨家 RL3100™無研磨粒、自停 (self-stopping) 機制，以及 VisionPad™ 5000 研磨墊，提供CMP銅製程高效能、低成本的解決方案。
陶氏的 RL3100™ + VisionPad™ 5000 研磨墊CMP銅製程具有以下技術優勢:
• 在不同的線寬與線譜密度下，均可產生low-dishing 及no-erosion的顯著優勢
• 高銅研磨速率(high Cu rate) 、晶圓表面銅的清除能力(clearing)、更具有對於阻絕層(barrier films)與介電層(dielectric films)的極高選擇比
• 高良率、嚴格的Rs控制、高產能、以及寬大的製程窗口
其他含有研磨粒的研磨液，一般會形成erosion或刮痕(scratching) ， RL3100™
獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達成更高的良率。此外RL3100™的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊conditioning的減低，進而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100™提供低成本的解決方案。
經實際生產測試，陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲 90–45 奈米 300 mm 高產量製造商採用超過三年。同時，此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的 IDM（整合元件廠）選為 14 奈米節點的記錄製程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28 奈米的TSV製程。
陶氏的 RL3100™ + VisionPad™ 5000 研磨墊CMP銅製程具有以下技術優勢:
• 在不同的線寬與線譜密度下，均可產生low-dishing 及no-erosion的顯著優勢
• 高銅研磨速率(high Cu rate) 、晶圓表面銅的清除能力(clearing)、更具有對於阻絕層(barrier films)與介電層(dielectric films)的極高選擇比
• 高良率、嚴格的Rs控制、高產能、以及寬大的製程窗口
其他含有研磨粒的研磨液，一般會形成erosion或刮痕(scratching) ， RL3100™
獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達成更高的良率。此外RL3100™的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊conditioning的減低，進而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100™提供低成本的解決方案。
經實際生產測試，陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲 90–45 奈米 300 mm 高產量製造商採用超過三年。同時，此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的 IDM（整合元件廠）選為 14 奈米節點的記錄製程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28 奈米的TSV製程。
