根據SEMI (國際半導體設備材料產業協會)發佈的SEMI World Fab Forecast報告顯示， 2009年第一季的資本支出較2008年第四季下滑26%至32億美元，然而，資本支出在2009年第二季已經呈現落底的跡象，目前整個產業供應鏈已經看到穩定回升的訊號。
晶圓代工廠台積電於六月宣佈增加今年資本支出，並一舉回復到2008年19億美元的水準，比起原本的預測提高了26%左右。隨後，在台積電第二季的投資法人說明會上，又進一步提高了今年資本支出到23億美元，甚至超越了去年的金額。此大額的投資金額主要將用於擴充40、45奈米及更先進的製程技術產能。
時序進入2009年第三季，幾家亞太區領先的晶圓代工在第二季的營收及產能利用率方面均呈現回升反彈的走勢，且預估第三季營運皆將較第二季持續成長。例如，新加坡特許半導體(Chartered)在今年看到65奈米製程技術的強勁需求，決定提高資本支出幅度33%達到5億美元，主要進行擴充12吋廠Fab 7的產能。另外一方面，聯電也受到先進製程回溫需求刺激，資本支出也從低於4億美元提高到5億美元。
2009年主要晶圓代工廠資本支出計畫一覽表
晶圓代工Foundries 四月時資本支出規劃 七月時資本支出規畫
台積電 15億美元 23億美元
聯電 4億美元 5億美元
新加坡特許 3.75億美元 5億美元
而在記憶體產業方面，其資本支出仍被視為2010年半導體設備商的主要成長動力。經過兩年來的節縮成本之後，近期記憶體晶圓廠首次呈現資本支出復甦的跡象。受惠於DRAM與Nand Flash業者控制供給的成效，2009年第一季已經可以見到記憶憶產品價格趨於穩定。
韓國的三星與海力士已經先後宣布提高2009年下半年資本支出。由於記憶體產品價格穩步趨堅，以及主要的PC OEM業者需求改善，這兩家記憶體龍頭紛紛繼續推進其製程技術的進程，以期能維持成長的動力與滿足市場的需求。舉例而言，三星打算提高半導體事業部門的資本支出以求保持其在產業內的領先地位；海力士也表示，下半年會提高DRAM與Nand Flash的資本支出金額，預期2009年底完成44奈米DRAM與32奈米Nand Flash產能建置，均比其原先的規畫時程更為提前。
至於在台灣DRAM晶圓廠方面，整合的規畫依舊不明，對於市場而言可能會有點晚了。南亞科與華亞有意重回對54奈米DRAM的鉅額投資。根據規畫這項投資已經從2009年啟動，但主要的投資約會落在2010年。
觀察後段封裝測試方面，在第二季時候受到上游晶圓代工廠強勁需求的影響，產能利用率皆已明顯提升。台灣主要的封裝測試業者由於受到先進製程與特定應用的強勁需求，也提升其資本支出規畫，主要是在後段晶圓凸塊(wafer bumping)與晶圓級封裝(WLCSP)。
另一方面，觀察北美半導體設備訂單出貨比，也從2009年一月起呈現連續5個月的回升，而半導體業者下單情況亦已逐步走出谷底，儘管大部分的投資主要仍用做製程技術提升，比擴充產能還多，但是在2009下半年到2010年可預見的未來，半導體資本支出可望持續改善。
2009年對半導體產業供應鏈的任何一份子來說都可說是劇烈變化的一年，也走出過去季節化景氣循環的模式。在第一季所有的業者都承受極大的衝擊，但是第二季從上游的晶圓代工端開始感受到復甦，預期進入下半年第三季起將可見更明顯的健康成長信號。不論如何，SEMI則是對2010年產業前景抱持謹慎樂觀的態度。
(此篇文章部分節錄於SEMI World Fab Forecast報告之中，SEMI擁有完整資料庫定期提供會員追蹤半導體前段晶圓廠的最新變化。更多資訊請上SEMI網站http://www.semi.org/fabs)
晶圓代工廠台積電於六月宣佈增加今年資本支出，並一舉回復到2008年19億美元的水準，比起原本的預測提高了26%左右。隨後，在台積電第二季的投資法人說明會上，又進一步提高了今年資本支出到23億美元，甚至超越了去年的金額。此大額的投資金額主要將用於擴充40、45奈米及更先進的製程技術產能。
時序進入2009年第三季，幾家亞太區領先的晶圓代工在第二季的營收及產能利用率方面均呈現回升反彈的走勢，且預估第三季營運皆將較第二季持續成長。例如，新加坡特許半導體(Chartered)在今年看到65奈米製程技術的強勁需求，決定提高資本支出幅度33%達到5億美元，主要進行擴充12吋廠Fab 7的產能。另外一方面，聯電也受到先進製程回溫需求刺激，資本支出也從低於4億美元提高到5億美元。
2009年主要晶圓代工廠資本支出計畫一覽表
晶圓代工Foundries 四月時資本支出規劃 七月時資本支出規畫
台積電 15億美元 23億美元
聯電 4億美元 5億美元
新加坡特許 3.75億美元 5億美元
而在記憶體產業方面，其資本支出仍被視為2010年半導體設備商的主要成長動力。經過兩年來的節縮成本之後，近期記憶體晶圓廠首次呈現資本支出復甦的跡象。受惠於DRAM與Nand Flash業者控制供給的成效，2009年第一季已經可以見到記憶憶產品價格趨於穩定。
韓國的三星與海力士已經先後宣布提高2009年下半年資本支出。由於記憶體產品價格穩步趨堅，以及主要的PC OEM業者需求改善，這兩家記憶體龍頭紛紛繼續推進其製程技術的進程，以期能維持成長的動力與滿足市場的需求。舉例而言，三星打算提高半導體事業部門的資本支出以求保持其在產業內的領先地位；海力士也表示，下半年會提高DRAM與Nand Flash的資本支出金額，預期2009年底完成44奈米DRAM與32奈米Nand Flash產能建置，均比其原先的規畫時程更為提前。
至於在台灣DRAM晶圓廠方面，整合的規畫依舊不明，對於市場而言可能會有點晚了。南亞科與華亞有意重回對54奈米DRAM的鉅額投資。根據規畫這項投資已經從2009年啟動，但主要的投資約會落在2010年。
觀察後段封裝測試方面，在第二季時候受到上游晶圓代工廠強勁需求的影響，產能利用率皆已明顯提升。台灣主要的封裝測試業者由於受到先進製程與特定應用的強勁需求，也提升其資本支出規畫，主要是在後段晶圓凸塊(wafer bumping)與晶圓級封裝(WLCSP)。
另一方面，觀察北美半導體設備訂單出貨比，也從2009年一月起呈現連續5個月的回升，而半導體業者下單情況亦已逐步走出谷底，儘管大部分的投資主要仍用做製程技術提升，比擴充產能還多，但是在2009下半年到2010年可預見的未來，半導體資本支出可望持續改善。
2009年對半導體產業供應鏈的任何一份子來說都可說是劇烈變化的一年，也走出過去季節化景氣循環的模式。在第一季所有的業者都承受極大的衝擊，但是第二季從上游的晶圓代工端開始感受到復甦，預期進入下半年第三季起將可見更明顯的健康成長信號。不論如何，SEMI則是對2010年產業前景抱持謹慎樂觀的態度。
(此篇文章部分節錄於SEMI World Fab Forecast報告之中，SEMI擁有完整資料庫定期提供會員追蹤半導體前段晶圓廠的最新變化。更多資訊請上SEMI網站http://www.semi.org/fabs)
