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惠瑞捷壯大ATE產品陣容迎接景氣回春

本文作者:admin       點擊: 2010-08-11 00:00
前言:
挾著獲得VLSI Research頒發2010年最佳測試設備供應商第一名的頭銜,日前惠瑞捷 (Verigy)在台舉辦年度首場記者會,明確指出2010年營收可望成長55-60%。其中SOC ATE設備將因智慧型手機,PC等產品的高成長而將有120%的成長率。至於記憶體產業則仍呈疲弱態勢,但比起谷底的2009年,惠瑞捷預估memory ATE市場仍有50%的成長率,市場規模約在462M-580M之譜(仍遠低於歷史範圍1.2B-1.5B)。

為了迎接ATE產業復甦的到來,惠瑞捷針對SoC、高速記憶體、低成本測試(V101)以及探針卡等晶片測試推出一系列新品。以下做一簡介:

V93000 平台新增 Direct-Probe™ 解決方案:新的 Direct-Probe 創新型射頻 (RF) 解決方案降低了射頻設備、高接腳數(high-pin-count)數位設備以及複雜的混合信號設備的測試成本,使全球半導體市場能夠快速向高性能針測和晶圓級晶片尺度封裝 (WLCSP)轉型。惠瑞捷的 V93000 平臺在增加 Direct-Probe 射頻解決方案後消除了晶圓和測試機之間的傳統機構介面,從而減少了訊號路徑(signal-path)連接點的長度和數量,顯著提高了射頻設備測試的信號完整性。

具有 Direct-Probe 射頻解決方案的 V93000 在設計時可使用適合晶圓探針和終程測試(final test)的單測試載板 (single-load board),從而縮短 IC 從開發到生產的時間,使探針和終程測試間的相關工作量降至最低,並實現強大的多點測試能力。惠瑞捷的 Direct-Probe 射頻功能提供應用使用上最大面積的元件區,使一個44000平方毫米的區域保持平滑,平面水平偏差僅為+1毫米。此外,V93000 Direct-Probe 解決方案使整個平台能夠相容所有規格的測試機,同時 V93000可擴展架構還提供多功能全方位射頻半導體設備的測試。

HSM3G高速記憶體測試方案平價升級未來三代設備:惠瑞捷推出了全新的 HSM3G 高速記憶體測試解決方案,進一步拓展V93000 HSM 平台在以DDR3世代為主的記憶體 IC 和未來更高級記憶體的測試能力。V93000 HSM3G 獨特的優勢在於其未來的可升級性,能夠為未来的三代 DDR 記憶體提供資料傳輸速度高達6.8 Gbps且價格低廉的測試服務,從而前所未有地長期節約測試成本。

V93000 HSM3G 已俱備未來的速度和功能性,提供了高速記憶體測試市場上最完整的特性。其可程式設計的、全速的每引腳 APG 能力加上能夠產生針對資料匯流排倒置 (DBI) 和循環冗餘檢查碼 (CRC)所需的相關測試資料,對於進階的 DDR4 記憶體技術特性能夠提供足夠的測試需求,以確保較高的測試品質和產量。

業界最低壓力的探針卡:惠瑞捷 (Verigy)旗下全資子公司 Touchdown Technologies推出了其 1Td300 全晶圓探針卡,這是該公司首款用於先進 DRAM 記憶體元件單次觸壓、高容量測試的探針卡。該產品能夠對 300 mm或200 mm 晶圓進行相當高的並行測試(highly parallel testing)。具備有每探針只需要2g壓力就能夠測試整個300 mm晶圓——堪稱業界最低的探針壓力,所需壓力不到市面上同類產品的一半——1Td300 探針卡提供了雙重優勢,不僅能夠降低待測晶圓和整個測試設備的壓力,同時更高的接腳數拓展了半導體的測試藍圖。

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