飛思卡爾半導體(NYSE: FSL, FSL.B)發表第七代高電壓(HV7)射頻LDMOS技術，此項技術可以滿足WiMAX基地台在3.5 GHz頻帶中運作時所需的射頻功率放大器效能。飛思卡爾是所有半導體設計廠商中首先以射頻LDMOS技術達成此一成就者。
即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線，該公司仍計畫繼續研發高電壓砷化鎵PHEMT技術，專供設計WiMAX系統內的高功率砷化鎵元件、以及其它在2 GHz至6 GHz間運作的應用所需。
由於飛思卡爾同時提供了射頻LDMOS及砷化鎵PHEMT這兩種技術的功率電晶體，因此該公司的射頻解決方案幾乎可以支援所有高功率的無線設備–其中LDMOS的效能可達3.8 GHz、而砷化鎵PHEMT的效能更高達6 GHz。
飛思卡爾射頻產品部門的副總裁暨總經理Gavin P. Woods表示：「由於飛思卡爾在第七代高電壓射頻LDMOS技術上的最新進展，我們已經在未來的WiMAX及其它高頻市場中搶得先機，飛思卡爾原本研發的高電壓砷化鎵技術，不但仍是市場上同質產品中效率最佳者，同時也將基礎設備的運作頻率推上6 GHz。」
WiMAX高標準需求
WiMAX系統使用64相位差振幅調變(quadrature amplitude modulation，QAM)正交分頻多工(OFDM)訊號。對於功率放大器的設計人員而言，QAM OFDM訊號相當具有挑戰性。而對於延遲來說，無論是有遮罩需求的光譜形式、還是有EVM (Error Vector Magnitude)需求的相位差形式，射頻功率電晶體的線性特徵都十分重要。在本文發表之前，矽晶的LDMOS技術無法在3.5 GHz這樣的高頻下提供可靠的射頻功率性能。這代表像砷化鎵PHEMT這類的複合式半導體元件，將會是設計人員唯一的選擇。只有飛思卡爾的進階3.5 GHz第七代高電壓LDMOS元件，能夠提供WiMAX系統所需的效率、線性及EVM效能，並讓設計人員可以在矽晶式LDMOS元件及複合式半導體元件間取捨。
關於第七代高電壓射頻LDMOS
首批3.5 GHz LDMOS元件的樣品現已備齊。MRF7S38075H是一組75瓦的P1dB射頻電晶體，不但足以承擔42dBm (16W)的平均功率，同時亦可滿足WiMAX在3.5 GHz頻帶運作時的性能需求。此外，40瓦及10瓦的P1dB 3.5 GHz元件樣品亦預計在2006年2月上市。這三種進階的LDMOS元件補足了飛思卡爾現有以2.3、2.5及3.5GHz頻帶為主的WiMAX/WiBRO射頻功率電晶體產品線。
關於高電壓砷化鎵
雖然進階的HV7 LDMOS元件正好可以補充12V砷化鎵PHEMT元件在3.5 GHz WiMAX應用方面的不足之處，但是目前正在研發當中的新一代高電壓砷化鎵元件仍可將運作頻率提昇至6 GHz。因此它仍是設計WiMAX及其它高頻無線應用時的首選。當操作電壓超過20伏特時，砷化鎵元件的輸出功率不但可高達100瓦，而且還能滿足數位調變系統的嚴苛需求。
飛思卡爾的第一個高電壓砷化鎵PHEMTs樣品預計於2006年第三季面世。
有關飛思卡爾最新的WiMAX射頻功率元件資訊，請造訪www.freescale.com/rf。
關於飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor, Inc.)
飛思卡爾半導體(NYSE代號FSL, FSL.B)為全球知名嵌入式半導體設計與製造領導廠商，其產品應用層面遍及汽車用電子、消費性電子、工業電子、網路電子以及無線網路市場等領域。飛思卡爾半導體過去50多年來均隸屬於摩托羅拉旗下，並於2004年7月正式宣佈上市上櫃，獨立為飛思卡爾半導體公司。飛思卡爾半導體總部位於德州奧斯汀市，其設計、研發、製造和業務等部門分布於全球30多個國家。飛思卡爾名列「標準普爾前五百大企業」(S&P 500®)，是全球最大的半導體公司之一，2004年營業額為57億美金。欲知詳情請參考網址：www.freescale.com
即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線，該公司仍計畫繼續研發高電壓砷化鎵PHEMT技術，專供設計WiMAX系統內的高功率砷化鎵元件、以及其它在2 GHz至6 GHz間運作的應用所需。
由於飛思卡爾同時提供了射頻LDMOS及砷化鎵PHEMT這兩種技術的功率電晶體，因此該公司的射頻解決方案幾乎可以支援所有高功率的無線設備–其中LDMOS的效能可達3.8 GHz、而砷化鎵PHEMT的效能更高達6 GHz。
飛思卡爾射頻產品部門的副總裁暨總經理Gavin P. Woods表示：「由於飛思卡爾在第七代高電壓射頻LDMOS技術上的最新進展，我們已經在未來的WiMAX及其它高頻市場中搶得先機，飛思卡爾原本研發的高電壓砷化鎵技術，不但仍是市場上同質產品中效率最佳者，同時也將基礎設備的運作頻率推上6 GHz。」
WiMAX高標準需求
WiMAX系統使用64相位差振幅調變(quadrature amplitude modulation，QAM)正交分頻多工(OFDM)訊號。對於功率放大器的設計人員而言，QAM OFDM訊號相當具有挑戰性。而對於延遲來說，無論是有遮罩需求的光譜形式、還是有EVM (Error Vector Magnitude)需求的相位差形式，射頻功率電晶體的線性特徵都十分重要。在本文發表之前，矽晶的LDMOS技術無法在3.5 GHz這樣的高頻下提供可靠的射頻功率性能。這代表像砷化鎵PHEMT這類的複合式半導體元件，將會是設計人員唯一的選擇。只有飛思卡爾的進階3.5 GHz第七代高電壓LDMOS元件，能夠提供WiMAX系統所需的效率、線性及EVM效能，並讓設計人員可以在矽晶式LDMOS元件及複合式半導體元件間取捨。
關於第七代高電壓射頻LDMOS
首批3.5 GHz LDMOS元件的樣品現已備齊。MRF7S38075H是一組75瓦的P1dB射頻電晶體，不但足以承擔42dBm (16W)的平均功率，同時亦可滿足WiMAX在3.5 GHz頻帶運作時的性能需求。此外，40瓦及10瓦的P1dB 3.5 GHz元件樣品亦預計在2006年2月上市。這三種進階的LDMOS元件補足了飛思卡爾現有以2.3、2.5及3.5GHz頻帶為主的WiMAX/WiBRO射頻功率電晶體產品線。
關於高電壓砷化鎵
雖然進階的HV7 LDMOS元件正好可以補充12V砷化鎵PHEMT元件在3.5 GHz WiMAX應用方面的不足之處，但是目前正在研發當中的新一代高電壓砷化鎵元件仍可將運作頻率提昇至6 GHz。因此它仍是設計WiMAX及其它高頻無線應用時的首選。當操作電壓超過20伏特時，砷化鎵元件的輸出功率不但可高達100瓦，而且還能滿足數位調變系統的嚴苛需求。
飛思卡爾的第一個高電壓砷化鎵PHEMTs樣品預計於2006年第三季面世。
有關飛思卡爾最新的WiMAX射頻功率元件資訊，請造訪www.freescale.com/rf。
關於飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor, Inc.)
飛思卡爾半導體(NYSE代號FSL, FSL.B)為全球知名嵌入式半導體設計與製造領導廠商，其產品應用層面遍及汽車用電子、消費性電子、工業電子、網路電子以及無線網路市場等領域。飛思卡爾半導體過去50多年來均隸屬於摩托羅拉旗下，並於2004年7月正式宣佈上市上櫃，獨立為飛思卡爾半導體公司。飛思卡爾半導體總部位於德州奧斯汀市，其設計、研發、製造和業務等部門分布於全球30多個國家。飛思卡爾名列「標準普爾前五百大企業」(S&P 500®)，是全球最大的半導體公司之一，2004年營業額為57億美金。欲知詳情請參考網址：www.freescale.com
