飛思卡爾半導體(NYSE: FSL, FSL.B)公開表示要以新開發的高電壓RF功率技術，以及最先進且符合成本效益的超模壓塑膠封裝技術，來拓展工業、科學及醫療(industrial, scientific and medical，ISM)的市場。身為需求日殷的行動通訊基礎建設市場的佼佼者，飛思卡爾也要將它在通訊及封裝技術的領導地位延伸到ISM市場。它所憑藉的，便是同時針對HF/VHF頻帶(10-450 MHz)及2.45 GHz ISM 頻帶所設計的電晶體。
此次版圖擴張肇始於50V VHV6 RF LDMOS技術的研發(第六代超高電壓RF橫向擴散金屬氧化半導體，LDMOS)，此項技術係以飛思卡爾旗下廣受好評的28V LDMOS技術改良而成的50V版本。將LDMOS技術的供電壓提升至50V，使設計師能夠取得更高的功率、其性能也超過現今市面上任何ISM產品。此外，超模壓塑膠封裝元件的出現，提供了最符合成本效益的ISM解決方案。
飛思卡爾RF事業部的副總裁暨總經理Gavin P. Woods指出：「以飛思卡爾在行動通訊基礎建設RF功率市場的領導地位，再加上50V LDMOS技術的研發，都讓我們以最創新的產品拓展ISM市場時，處於獨一無二的地位。此外，我們在超模壓塑膠封裝技術上的領導地位，將提供客戶開發出最符合成本效益的ISM應用，例如電漿產生器(plasma generators)及核磁共振攝影(magnetic resonance imaging，MRI)系統等。」
大幅提升性能
飛思卡爾最頂級的ISM產品是MRF6V2300NB，這是一款300瓦、使用50V LDMOS的電晶體，其操作頻率可達450MHz，並且以TO-272-WB-4超模壓塑膠方式封裝。該元件的增益比高達27dB、效率達百分之68。這麼好的效能足以讓ISM系統設計者省下任何增益層級，因而降低整體系統成本、並簡化電路板面積。除了一流的性能之外，該元件的穩定性也首屈一指：其強固容忍度達10:1的VSWR。
六種ISM專用的創新產品
飛思卡爾正朝兩種截然不同的ISM頻率市場進攻：一為HF/VHF的市場、另一為2.45 GHz ISM頻帶的市場。對於位在10到450 MHz之間的HF/VHF頻帶，飛思卡爾提供了三款使用VHV6 50V LDMOS技術的電晶體。這三款產品包括旗艦級的MRF6V2300NB以及MRF6V2150NB (150瓦、百分之69的效應比以及25dB的增益值)與MRF6V2010NB (10瓦、百分之68的效應比以及25dB的增益值)。至於2.45 GHz的ISM頻帶方面，飛思卡爾則提供了另外三款使用28V LDMOS 技術的元件：MRF6P24190H (190瓦、百分之46的效應比以及13dB的增益值)、MRF6S24190H (140瓦、百分之46的效應比以及13dB的增益值)以及MW6IC2420NB (兩段式20瓦、百分之21的效應比以及21dB的增益值)。
產品取得方式
以上六種ISM元件均已有樣品上市。此外，三種2.45 GHz的元件亦已量產。MRF6V2150NB預計於2006年8月全面量產，MRF6V2300NB與MRF6V2010NB也預計於2006年第四季量產。
有關飛思卡爾最新的RF功率元件詳情，請拜訪www.freescale.com/rf。
此次版圖擴張肇始於50V VHV6 RF LDMOS技術的研發(第六代超高電壓RF橫向擴散金屬氧化半導體，LDMOS)，此項技術係以飛思卡爾旗下廣受好評的28V LDMOS技術改良而成的50V版本。將LDMOS技術的供電壓提升至50V，使設計師能夠取得更高的功率、其性能也超過現今市面上任何ISM產品。此外，超模壓塑膠封裝元件的出現，提供了最符合成本效益的ISM解決方案。
飛思卡爾RF事業部的副總裁暨總經理Gavin P. Woods指出：「以飛思卡爾在行動通訊基礎建設RF功率市場的領導地位，再加上50V LDMOS技術的研發，都讓我們以最創新的產品拓展ISM市場時，處於獨一無二的地位。此外，我們在超模壓塑膠封裝技術上的領導地位，將提供客戶開發出最符合成本效益的ISM應用，例如電漿產生器(plasma generators)及核磁共振攝影(magnetic resonance imaging，MRI)系統等。」
大幅提升性能
飛思卡爾最頂級的ISM產品是MRF6V2300NB，這是一款300瓦、使用50V LDMOS的電晶體，其操作頻率可達450MHz，並且以TO-272-WB-4超模壓塑膠方式封裝。該元件的增益比高達27dB、效率達百分之68。這麼好的效能足以讓ISM系統設計者省下任何增益層級，因而降低整體系統成本、並簡化電路板面積。除了一流的性能之外，該元件的穩定性也首屈一指：其強固容忍度達10:1的VSWR。
六種ISM專用的創新產品
飛思卡爾正朝兩種截然不同的ISM頻率市場進攻：一為HF/VHF的市場、另一為2.45 GHz ISM頻帶的市場。對於位在10到450 MHz之間的HF/VHF頻帶，飛思卡爾提供了三款使用VHV6 50V LDMOS技術的電晶體。這三款產品包括旗艦級的MRF6V2300NB以及MRF6V2150NB (150瓦、百分之69的效應比以及25dB的增益值)與MRF6V2010NB (10瓦、百分之68的效應比以及25dB的增益值)。至於2.45 GHz的ISM頻帶方面，飛思卡爾則提供了另外三款使用28V LDMOS 技術的元件：MRF6P24190H (190瓦、百分之46的效應比以及13dB的增益值)、MRF6S24190H (140瓦、百分之46的效應比以及13dB的增益值)以及MW6IC2420NB (兩段式20瓦、百分之21的效應比以及21dB的增益值)。
產品取得方式
以上六種ISM元件均已有樣品上市。此外，三種2.45 GHz的元件亦已量產。MRF6V2150NB預計於2006年8月全面量產，MRF6V2300NB與MRF6V2010NB也預計於2006年第四季量產。
有關飛思卡爾最新的RF功率元件詳情，請拜訪
