全球通信IC與解決方案領導廠商英飛凌科技(FSE/NYSE: IFX)宣佈推出採新型銅底開放腔塑料封裝的射頻功率晶體新系列。 新型EPOC®（增強型塑料開放腔）封裝技術，透過銅良好的熱傳導特性，成功提升 12 ％ 的熱阻，使得此種封裝晶體的熱阻與射頻效能係數，也能接近傳統陶瓷封裝的晶體，製造成本卻更低，元件可靠性更高。 憑藉 EPOC 封裝、微型芯片與專利的晶粒黏著技術，英飛凌替高通話量基地台基礎設備市場，打造出同時擁有最佳熱阻效能、高可靠性與一致性的解決方案。
此款系列晶體採用英飛凌先進的 LDMOS （橫向擴散金屬氧化物半導體）制程技術，非常適合高效能行動電話基礎設施設備所用的功率放大器， 這也是業界首款具環保概念封裝的射頻功率電晶體。
直至目前為止，高效能且相容RoHS的射頻功率晶體只有陶瓷封裝、終端鍍金的型式。 而此種封裝若採主流的無鉛組裝方式，通常涉及複雜的鉗夾設計、客製化銲接條件，以及採用無鉛銲錫或昂貴的除金作業來進行組裝。 英飛凌開放腔塑料封裝提供一個全新的選擇，並且能節省可觀的製造成本。 舉例來說，每個封裝要花美金 2 到 8 元進行除金，視有多少接線端而定 如果免除這道作業程序，以一個標準的 120W 電晶體來計，總生產成本約可節省 10 ％ 到 25 ％ 。 此外，開放腔塑料封裝晶體卓越的熱阻效能，能降低操作接面溫度 5 ％ （典型值），可靠度也因而增加，使得這款新型射頻功率晶體最適於用在新一代塔頂式行動電話基地台。
「手機市場的瞬息萬變，連帶使基地台放大器市場持續感受到價格的壓力，然而效能因素仍是射頻功率放大器設計的主要考量」，英飛凌科技射頻功率部門副總裁兼總經理赫穆特弗格勒 (Helmut Vogler) 表示， 「能降低製造成本的 EPOC 封裝晶體同時又保有高效能，是設計這些產品系列的關鍵目標。 有了這些新型射頻功率晶體系列，設計工程師能打造出體積更小、耗電更低的功率放大器，提供無線系統業者建置進階行動通信規格基地台的所需基礎設備」。
規格細節
新型LDMOS裝置的工作頻率範圍從 920 兆赫到 1880 兆赫，涵蓋所有標準調製格式，平均輸出功率位準為 25W 和 50W。
操作電壓為 28 V 的PTFA091201GL 與 PTFA091201FL，在EDGE訊號狀態與平均輸出功率 50W 的條件下，提供 18 dB 的標準增益與 44 ％的效率值。 這些晶體適合 920 兆赫 – 960 兆赫頻帶的 GSM / EDGE 的通信應用。
PTFA181001GL 與 PTFA181001HL 電晶體，操作電壓 28 V，在 WCDMA 訊號狀態與平均輸出功率 25 W 的條件下，提供17 dB 的標準增益值與 27.5 的效率值。這些晶體適合 1805 兆赫 – 1880 兆赫頻帶 WCDMA 與 GSM / EDGE 的通信應用。
上市時間與定價
新型 LDMOS 的射頻功率晶體將在 2008 年第 3 季大量供貨。有關價格方面的問題請洽您的英飛凌經銷代表。
英飛凌在2008年6月16-19日美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的國際電子電機工程學會微波理論年會，在第1216號攤位展示行動電話基地台設備專用的新款LDMOS RF射頻功率晶體系列。
關於英飛凌
英飛凌科技 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、通訊 (communication)、與安全 (security)。2007會計年度(截至9月底)營收為77億歐元（含奇夢達營收36億歐元），全球員工約為43,000名（含奇夢達員工13,500名）。英飛凌的據點遍佈全球各地，包括美國加州苗必達市（Milpitas）、亞太地區的新加坡和日本東京都設有分公司。英飛凌於法蘭克福證券交易所及紐約證劵交易所掛牌上市（股票代號：IFX）。如需更多資訊，請造訪公司網站： www.infineon.com。
此款系列晶體採用英飛凌先進的 LDMOS （橫向擴散金屬氧化物半導體）制程技術，非常適合高效能行動電話基礎設施設備所用的功率放大器， 這也是業界首款具環保概念封裝的射頻功率電晶體。
直至目前為止，高效能且相容RoHS的射頻功率晶體只有陶瓷封裝、終端鍍金的型式。 而此種封裝若採主流的無鉛組裝方式，通常涉及複雜的鉗夾設計、客製化銲接條件，以及採用無鉛銲錫或昂貴的除金作業來進行組裝。 英飛凌開放腔塑料封裝提供一個全新的選擇，並且能節省可觀的製造成本。 舉例來說，每個封裝要花美金 2 到 8 元進行除金，視有多少接線端而定 如果免除這道作業程序，以一個標準的 120W 電晶體來計，總生產成本約可節省 10 ％ 到 25 ％ 。 此外，開放腔塑料封裝晶體卓越的熱阻效能，能降低操作接面溫度 5 ％ （典型值），可靠度也因而增加，使得這款新型射頻功率晶體最適於用在新一代塔頂式行動電話基地台。
「手機市場的瞬息萬變，連帶使基地台放大器市場持續感受到價格的壓力，然而效能因素仍是射頻功率放大器設計的主要考量」，英飛凌科技射頻功率部門副總裁兼總經理赫穆特弗格勒 (Helmut Vogler) 表示， 「能降低製造成本的 EPOC 封裝晶體同時又保有高效能，是設計這些產品系列的關鍵目標。 有了這些新型射頻功率晶體系列，設計工程師能打造出體積更小、耗電更低的功率放大器，提供無線系統業者建置進階行動通信規格基地台的所需基礎設備」。
規格細節
新型LDMOS裝置的工作頻率範圍從 920 兆赫到 1880 兆赫，涵蓋所有標準調製格式，平均輸出功率位準為 25W 和 50W。
操作電壓為 28 V 的PTFA091201GL 與 PTFA091201FL，在EDGE訊號狀態與平均輸出功率 50W 的條件下，提供 18 dB 的標準增益與 44 ％的效率值。 這些晶體適合 920 兆赫 – 960 兆赫頻帶的 GSM / EDGE 的通信應用。
PTFA181001GL 與 PTFA181001HL 電晶體，操作電壓 28 V，在 WCDMA 訊號狀態與平均輸出功率 25 W 的條件下，提供17 dB 的標準增益值與 27.5 的效率值。這些晶體適合 1805 兆赫 – 1880 兆赫頻帶 WCDMA 與 GSM / EDGE 的通信應用。
上市時間與定價
新型 LDMOS 的射頻功率晶體將在 2008 年第 3 季大量供貨。有關價格方面的問題請洽您的英飛凌經銷代表。
英飛凌在2008年6月16-19日美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的國際電子電機工程學會微波理論年會，在第1216號攤位展示行動電話基地台設備專用的新款LDMOS RF射頻功率晶體系列。
關於英飛凌
英飛凌科技 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、通訊 (communication)、與安全 (security)。2007會計年度(截至9月底)營收為77億歐元（含奇夢達營收36億歐元），全球員工約為43,000名（含奇夢達員工13,500名）。英飛凌的據點遍佈全球各地，包括美國加州苗必達市（Milpitas）、亞太地區的新加坡和日本東京都設有分公司。英飛凌於法蘭克福證券交易所及紐約證劵交易所掛牌上市（股票代號：IFX）。如需更多資訊，請造訪公司網站： www.infineon.com。
