恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司）擴張其業界領先的RF Power 電晶體產品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率。
針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準（漏極效率大於50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。
恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示：「身為第一家推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效能的LDMOS RF功率電晶體產品線建立了一個嶄新的業界標準，為我們的客戶提供市場上表現最優異和最耐用的電晶體。將RF輸出功率提高至500W的技術突破，是恩智浦內部傾力合作、貼近客戶需求的結果，使我們推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。」
恩智浦L波段RF電晶體(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：
500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈衝寬度，25%占空比時）
17dB增益
50%漏極效率
更佳的耐用度
能夠承受高達5dB的過驅動能力
更佳脈衝偏差值 （低於0.2dB）
供電電壓50V
無毒封裝、符合ROHS標準
恩智浦的此款元件結合了雙極管的功率密度和適用於L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
上市時間
恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率電晶體將很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的資訊可參考：http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html .
欲瞭解更多有關恩智浦領先業界的第六代LDMOS技術，請至：http://www.nxp.com/experience_rfpower
關於恩智浦半導體
恩智浦是飛利浦在50多年前創建的全球十大半導體公司。公司總部位於歐洲,在全球超過20個國家擁有33,500名員工，2007年公司營業額約為63億美元(包含已分割的無線業務)。恩智浦提供半導體、系統解決方案和軟體,為電視、機上盒、智慧識別應用、手機、汽車以及其他廣泛的電子設備提供更好的感官體驗。關於更多恩智浦的新聞,請參觀網站www.nxp.com
針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準（漏極效率大於50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。
恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示：「身為第一家推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效能的LDMOS RF功率電晶體產品線建立了一個嶄新的業界標準，為我們的客戶提供市場上表現最優異和最耐用的電晶體。將RF輸出功率提高至500W的技術突破，是恩智浦內部傾力合作、貼近客戶需求的結果，使我們推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。」
恩智浦L波段RF電晶體(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：
500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈衝寬度，25%占空比時）
17dB增益
50%漏極效率
更佳的耐用度
能夠承受高達5dB的過驅動能力
更佳脈衝偏差值 （低於0.2dB）
供電電壓50V
無毒封裝、符合ROHS標準
恩智浦的此款元件結合了雙極管的功率密度和適用於L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
上市時間
恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率電晶體將很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的資訊可參考：http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html .
欲瞭解更多有關恩智浦領先業界的第六代LDMOS技術，請至：http://www.nxp.com/experience_rfpower
關於恩智浦半導體
恩智浦是飛利浦在50多年前創建的全球十大半導體公司。公司總部位於歐洲,在全球超過20個國家擁有33,500名員工，2007年公司營業額約為63億美元(包含已分割的無線業務)。恩智浦提供半導體、系統解決方案和軟體,為電視、機上盒、智慧識別應用、手機、汽車以及其他廣泛的電子設備提供更好的感官體驗。關於更多恩智浦的新聞,請參觀網站www.nxp.com
