恩智浦半導體新一代矽鍺碳(SiGe: C)BiCMOS QUBIC4技術 促進射頻(RF)產品創新
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2009-06-12 00:00
前言:
恩智浦半導體(NXP Semiconductors,由飛利浦成立的獨立半導體公司),近日推出業界領先的QUBIC4 BiCMOS矽技術,穩固其在射頻領域的領導地位。此技術能具經濟效益地實現在高頻率上更佳的整合度和性能。恩智浦致力於推動QUBIC4 BiCMOS技術發展,為了使未來的射頻產品,如手機和通訊基礎設施裝置所用的低雜訊放大器、中等功率放大器和振盪器 (Local oscillator)發生器等,能夠以更高性能運作。
現在,利用恩智浦創新的矽鍺碳技術製程,客戶能以更經濟的成本將更多功能整合於裝置中,而僅佔用更小空間。以最先進的QUBIC4技術帶來最出色的低雜訊性能和IP可用性,進而加快從砷化鎵元件轉移到矽元件,確保所有雙向資料傳輸都有更高的頻寬,提高語音、圖像和資料訊號的清晰度,改善消費者的體驗。恩智浦QUBIC4技術製程特別有助於加快GPS系統的衛星定位追蹤,改善基地台性能,支援電子計量設備的建構,同時增強WLAN、衛星和微波無線電應用。
Gartner公司研究副總裁Stan Bruederle表示:「全球已走向無線時代。無論是在家中還是在外,消費者無時無刻運用越來越多配備激動人心的新應用和娛樂的行動裝置。但是,隨著越來越多的資料湧入這些裝置,裝置本身對於其性能和頻率的限制已被推至極限。現在,半導體產業正在實現前所未有的射頻整合與性能水準,確保裝置製造商能夠抓住新興應用市場,並使消費者擁有功能更完善的行動裝置。」
恩智浦QUBIC4技術製程也可提供ASIC服務,將射頻和微波設計IP與應用知識、先進低成本的射頻封裝、以及廠內製造能力,結合起來進行量產。
恩智浦半導體類比與混合訊號產品部副總裁John Croteau表示:「消費者希望能以低廉量產價格的成本架構獲得更高的連線能力,此種需求持續推動著射頻市場發展。QUBIC4技術雖然以矽技術為基礎,但卻具有砷化鎵技術的性能,能夠提供更強健、更高整合度、更具經濟效益的解決方案,同時確保良好的訊號品質。此舉完美展現恩智浦致力於推出新一代高性能射頻技術以支援新行動連接裝置的承諾。」
恩智浦矽鍺碳 BiCMOS QUBiC4技術在發展過程中產生了三種版本:
• QUBiC4+:以矽技術為基礎,適合於5 GHz及以下頻率的應用,以及中等功率放大。
• QUBiC4X:第一種矽鍺碳,適合於頻率在30 GHz及以下的應用,以及GPS等超低雜訊應用。
• QUBiC4Xi:最新矽鍺碳,改善了Ft (> 200 GHz),雜訊係數更低,適合於VSAT和雷達等頻率在30 GHz以上的應用。
有關恩智浦以矽鍺碳 BiCMOS QUBiC4技術為基礎射頻解決方案的更多資訊,請至: http://www.nxp.com/campaigns/experience_rfsmallsignal/