飛思卡爾半導體跨入了砷化鎵(GaAs)單晶微波積體電路(MMIC)市場，藉由提出四款專為高效能需求而設計的最佳化元件，可實際運用在無線網路的巨型基地台、中繼器和超微型基地台。
這些元件強調低雜訊放大器和傳送功率放大器－超高射頻(RF)的性能對這兩個無線基礎設備的基本元件極為關鍵。這些元件同時也為了低耗電而設計，如此可最佳化能源效率並維持長期可靠度。
身為使用在無線基地台的矽化RF LDMOS電源電晶體的世界領導者，飛思卡爾擁有許多砷化鎵相關的專利，也是第一家利用砷化鎵開發元件的公司。公司不斷成長的通用型放大器(GPA)系列乃根據磷化銦鎵異接面雙極電晶體(HBT)和砷化鎵異接面場效電晶體(HFET)為基礎，涵蓋了RF與微波廣泛系列的應用。
飛思卡爾副總裁暨射頻分部總經理Gavin P. Woods表示：「飛思卡爾的高性能MMIC元件對於要求高性能的應用，提供完善的射頻有效解決方案，例如3G和4G無線基地台、中繼器和超微型基地台。我們採用與先進LDMOS射頻技術相同的品質和可靠度標準，開發全新的MMIC產品。我們的GaAs MMIC搭配必要的軟體與硬體工具，以最少的成本取得最理想的效能。」
MML09211H為增強模式的砷化鎵應變式高電子遷移率電晶體(pHEMT) MMIC低雜訊放大器，理想的應用範圍從865 – 960兆赫頻帶的W-CDMA基地台，到865 – 960兆赫頻帶的高資料傳輸率的網路都適用。元件提供0.6 dB特殊低雜訊係數內含電路耗損，同時支援操作範圍從400到1400兆赫，在900兆赫小訊號增益為20 dB、P1dB輸出功率為21 dBm、絕緣時為-35 dB以及在900兆赫三階輸出截取點(IP3)為32 dBm。
MMA20312B為兩階段的磷化銦鎵HBT功率放大器，設計用於無線基地台以及中繼器和超微型基地台。具體來說，此元件在超微型基地台上可實現高能源效率，同時滿足線性需求。該放大器涵蓋1800到2200兆赫，在2140兆赫展現的P1dB輸出功率為31 dBm和26 dB的小信號增益。
另外兩款新型寬頻MMIC放大器，同樣適用在傳送電路中作為驅動放大器使用，或在接收電路中作為第二階段的低雜訊放大器使用。比典型的HBT解決方案更具有出色的線性關係與低電流消耗。MMG15241H是pHEMT元件，涵蓋500至2800兆赫，在2140兆赫具有雜訊係數為1.6 dB、P1dB輸出功率為24 dBm、IP3為39 dBm以及15 dB的小信號增益。MMG20271H低雜訊放大器涵蓋1500至2400兆赫，在2140兆赫具有雜訊係數為1.8 dB、P1dB輸出功率為28 dBm、IP3為42.5 dBm以及15 dB的小信號增益。
配合這新款MMIC，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和MMG3006NT1 GPA推出了應用板和RF特性數據資料。該應用板和數據資料，可以看出MMIC在實際基地台發射元件陣容的能力。最新的數據資料顯示，元件的電流消耗可以從最初數據表在些微線性補償的條件下，減少近百分之五十。
這新款MMIC是飛思卡爾眾多計畫中的MMIC元件的第一個，目前尚在開發用來涵蓋廣泛使用的無線頻段和應用。
價格與供貨方式
飛思卡爾的4款新MMIC元件計畫在2010年6月前完成限定數量的送樣以及在2010年8月前完成一般送樣。規劃中的產品支援包括參考設計和供設計者使用的其他支持工具。關於樣品和訂價資訊，請聯繫飛思卡爾半導體公司、本地飛思卡爾銷售辦事處或授權經銷商。
這些元件強調低雜訊放大器和傳送功率放大器－超高射頻(RF)的性能對這兩個無線基礎設備的基本元件極為關鍵。這些元件同時也為了低耗電而設計，如此可最佳化能源效率並維持長期可靠度。
身為使用在無線基地台的矽化RF LDMOS電源電晶體的世界領導者，飛思卡爾擁有許多砷化鎵相關的專利，也是第一家利用砷化鎵開發元件的公司。公司不斷成長的通用型放大器(GPA)系列乃根據磷化銦鎵異接面雙極電晶體(HBT)和砷化鎵異接面場效電晶體(HFET)為基礎，涵蓋了RF與微波廣泛系列的應用。
飛思卡爾副總裁暨射頻分部總經理Gavin P. Woods表示：「飛思卡爾的高性能MMIC元件對於要求高性能的應用，提供完善的射頻有效解決方案，例如3G和4G無線基地台、中繼器和超微型基地台。我們採用與先進LDMOS射頻技術相同的品質和可靠度標準，開發全新的MMIC產品。我們的GaAs MMIC搭配必要的軟體與硬體工具，以最少的成本取得最理想的效能。」
MML09211H為增強模式的砷化鎵應變式高電子遷移率電晶體(pHEMT) MMIC低雜訊放大器，理想的應用範圍從865 – 960兆赫頻帶的W-CDMA基地台，到865 – 960兆赫頻帶的高資料傳輸率的網路都適用。元件提供0.6 dB特殊低雜訊係數內含電路耗損，同時支援操作範圍從400到1400兆赫，在900兆赫小訊號增益為20 dB、P1dB輸出功率為21 dBm、絕緣時為-35 dB以及在900兆赫三階輸出截取點(IP3)為32 dBm。
MMA20312B為兩階段的磷化銦鎵HBT功率放大器，設計用於無線基地台以及中繼器和超微型基地台。具體來說，此元件在超微型基地台上可實現高能源效率，同時滿足線性需求。該放大器涵蓋1800到2200兆赫，在2140兆赫展現的P1dB輸出功率為31 dBm和26 dB的小信號增益。
另外兩款新型寬頻MMIC放大器，同樣適用在傳送電路中作為驅動放大器使用，或在接收電路中作為第二階段的低雜訊放大器使用。比典型的HBT解決方案更具有出色的線性關係與低電流消耗。MMG15241H是pHEMT元件，涵蓋500至2800兆赫，在2140兆赫具有雜訊係數為1.6 dB、P1dB輸出功率為24 dBm、IP3為39 dBm以及15 dB的小信號增益。MMG20271H低雜訊放大器涵蓋1500至2400兆赫，在2140兆赫具有雜訊係數為1.8 dB、P1dB輸出功率為28 dBm、IP3為42.5 dBm以及15 dB的小信號增益。
配合這新款MMIC，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和MMG3006NT1 GPA推出了應用板和RF特性數據資料。該應用板和數據資料，可以看出MMIC在實際基地台發射元件陣容的能力。最新的數據資料顯示，元件的電流消耗可以從最初數據表在些微線性補償的條件下，減少近百分之五十。
這新款MMIC是飛思卡爾眾多計畫中的MMIC元件的第一個，目前尚在開發用來涵蓋廣泛使用的無線頻段和應用。
價格與供貨方式
飛思卡爾的4款新MMIC元件計畫在2010年6月前完成限定數量的送樣以及在2010年8月前完成一般送樣。規劃中的產品支援包括參考設計和供設計者使用的其他支持工具。關於樣品和訂價資訊，請聯繫飛思卡爾半導體公司、本地飛思卡爾銷售辦事處或授權經銷商。
