瑞薩電子宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體(SiGe:C HBT，註1) NESG7030M04，可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺：碳(SiGe:C)材料(註2)並達到領先業界的低雜訊效能。
新款SiGe:C HBT電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大為適合的水準，以達到0.75 dB的雜訊值，為無線區域網路及其他應用所使用5.8 GHz頻段的業界最高水準。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的四分之一。
瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC，為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，並且在微波應用電晶體領域獲得業界第一的市佔率(瑞薩的估計)。在上述背景之中，瑞薩已開發出採用SiGe:C材料的全新製程技術，以回應市場對於更低雜訊的需求，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎，瑞薩已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業界最高水準的低雜訊效能，並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。
新款SiGe:C HBT電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大為適合的水準，以達到0.75 dB的雜訊值，為無線區域網路及其他應用所使用5.8 GHz頻段的業界最高水準。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的四分之一。
瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC，為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，並且在微波應用電晶體領域獲得業界第一的市佔率(瑞薩的估計)。在上述背景之中，瑞薩已開發出採用SiGe:C材料的全新製程技術，以回應市場對於更低雜訊的需求，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎，瑞薩已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業界最高水準的低雜訊效能，並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。
