ARM (LSE：ARM；Nasdaq: ARMH)宣佈為台積電(TSMC)的40奈米 G 製程提供業界最為完善的IP平台。ARM最新推出的矽認證(silicon-validated)實體IP(Physical IP)平台能在無需增加功耗的前提下，針對需要進階功能的效能導向消費性裝置，進行符合成本效益的開發活動。此平台專為尋求利用 40奈米製程升級其設計的開發商所建立，其不但可以促進較高程度的技術創新，同時也能夠維持如磁碟機、機上盒、行動運算裝置、網路應用、高傳真電視和繪圖處理器等效能導向消費裝置的功耗水準。
ARM平台透過多通道邏輯元件庫(multi channel logic libraries)提供高度的彈性，其包括高效能和高密度標準元件庫(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和ECO 工具組元件庫，旨在解決次微米設計所產生的漏電問題。所有多通道長元件庫(multi channel length libraries)都具備針腳相容(footprint compatible)的特性，可於標準設計流程中輕鬆置換，並且可透過以提供更佳效能、更低漏電量及更低製造成本的長通道長度裝置替代或搭配HVt、RVt 或LVt 佈植層而大幅節省耗電與成本。
除此之外，這個平台還包括嵌入式記憶體編譯器和介面IP以符合多種效能、耗電與區域需求。其記憶體編譯器經過最適化，以提供最佳的系統單晶片(SoC)效能，它不但可以縮小晶粒(die)尺寸，還可以利用進階的電源管理技術將整體功耗降到最低，進而降低晶粒與封裝成本。進階電源管理是ARM記憶體架構不可或缺的一部分，有助於大幅降低系統單晶片設計當中動態功耗與漏電功耗。高密度記憶體加上ARM的創新高速架構和多處理器專屬低電源管理模式，可促成較優化的ARM CPU實施成果，這是非處理器(non-processor)最適化解決方案當中無法達到的。
ARM 40奈米 介面 IP 提供系統單晶片設計商完整的通用型 I/O、特殊 I/O 和DDR 介面巨集組合。本介面IP具有進階可程式化能力，具有高度彈性可將ARM CPU和外界的多種系統單晶片應用連結。本介面IP包含數個電源與漏電節省模式，可透過動態方式控制以進一步最適化整體系統單晶片功耗，以及提升電源規劃的粒度(granularity) 。本介面IP使用通用ESD和電軌設計方式，可實現無縫的通孔(pad ring)整合並大幅降低可靠度風險。ARM 也提供領先業界的高度整合全速DDR PHY 解決方案，其具備針對彈性記憶體控制器整合的高速 BIST 和DFI 支援，以及如 LVDS實體介面的特殊I/O。
「ARM具有平行開發處理器IP和實體IP的獨特能力，因此兩者可以完全發揮相輔相成的效果，並且縮短整體的設計週期。」ARM實體IP部門執行副總裁暨總經理Simon Segars表示，「我們透過早期與領導晶圓廠和EDA公司的接觸以進一步提升我們的技術，進而確保穩固的支援基礎架構，提供設計商低風險、通過矽驗證，且符合成本效益的設計策略。透過我們與台積電的策略聯盟，我們可以透過製程技術進行實體設計最適化，進而提供最佳的結果。」
「ARM 和新思科技( Synopsys) 致力於在可有效整合晶圓代工的實體IP平台上的密切合作，以減少設計週期的挑戰。」新思科技行銷與策略開發資深副總裁John Chilton表示：「ARM提供設計商完整的40奈米產品，而我們也與ARM密切合作以確保新的平台可獲得我們的 Lynx 設計系統之應用實證。預先測試ARM IP與Lynx有效整合晶圓代工的系統，可以為已獲實證可量產的40奈米系統單晶片解決方案提供低風險的途徑。這項組合將能提供高度優化的設計和加速、降低成本的晶片設計。
40奈米G元件庫可於 http://designstart.arm.com/ 下載。ARM DesignStart 線上存取計劃(online access program )提供業界最完整的線上IP元件庫。DesignStart 包含超過10,000個線上存取的標準、記憶體和互連結構元件庫。有部份的資料庫是由晶圓廠所贊助成立，並可供免費存取。除此之外ARM部分最受歡迎的ARM處理器產品系列也具備已獲業界實證的處理器設計工具組。
如需更多有關ARM的資訊，請瀏覽該公司網站: http://www.arm.com
ARM平台透過多通道邏輯元件庫(multi channel logic libraries)提供高度的彈性，其包括高效能和高密度標準元件庫(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和ECO 工具組元件庫，旨在解決次微米設計所產生的漏電問題。所有多通道長元件庫(multi channel length libraries)都具備針腳相容(footprint compatible)的特性，可於標準設計流程中輕鬆置換，並且可透過以提供更佳效能、更低漏電量及更低製造成本的長通道長度裝置替代或搭配HVt、RVt 或LVt 佈植層而大幅節省耗電與成本。
除此之外，這個平台還包括嵌入式記憶體編譯器和介面IP以符合多種效能、耗電與區域需求。其記憶體編譯器經過最適化，以提供最佳的系統單晶片(SoC)效能，它不但可以縮小晶粒(die)尺寸，還可以利用進階的電源管理技術將整體功耗降到最低，進而降低晶粒與封裝成本。進階電源管理是ARM記憶體架構不可或缺的一部分，有助於大幅降低系統單晶片設計當中動態功耗與漏電功耗。高密度記憶體加上ARM的創新高速架構和多處理器專屬低電源管理模式，可促成較優化的ARM CPU實施成果，這是非處理器(non-processor)最適化解決方案當中無法達到的。
ARM 40奈米 介面 IP 提供系統單晶片設計商完整的通用型 I/O、特殊 I/O 和DDR 介面巨集組合。本介面IP具有進階可程式化能力，具有高度彈性可將ARM CPU和外界的多種系統單晶片應用連結。本介面IP包含數個電源與漏電節省模式，可透過動態方式控制以進一步最適化整體系統單晶片功耗，以及提升電源規劃的粒度(granularity) 。本介面IP使用通用ESD和電軌設計方式，可實現無縫的通孔(pad ring)整合並大幅降低可靠度風險。ARM 也提供領先業界的高度整合全速DDR PHY 解決方案，其具備針對彈性記憶體控制器整合的高速 BIST 和DFI 支援，以及如 LVDS實體介面的特殊I/O。
「ARM具有平行開發處理器IP和實體IP的獨特能力，因此兩者可以完全發揮相輔相成的效果，並且縮短整體的設計週期。」ARM實體IP部門執行副總裁暨總經理Simon Segars表示，「我們透過早期與領導晶圓廠和EDA公司的接觸以進一步提升我們的技術，進而確保穩固的支援基礎架構，提供設計商低風險、通過矽驗證，且符合成本效益的設計策略。透過我們與台積電的策略聯盟，我們可以透過製程技術進行實體設計最適化，進而提供最佳的結果。」
「ARM 和新思科技( Synopsys) 致力於在可有效整合晶圓代工的實體IP平台上的密切合作，以減少設計週期的挑戰。」新思科技行銷與策略開發資深副總裁John Chilton表示：「ARM提供設計商完整的40奈米產品，而我們也與ARM密切合作以確保新的平台可獲得我們的 Lynx 設計系統之應用實證。預先測試ARM IP與Lynx有效整合晶圓代工的系統，可以為已獲實證可量產的40奈米系統單晶片解決方案提供低風險的途徑。這項組合將能提供高度優化的設計和加速、降低成本的晶片設計。
40奈米G元件庫可於 http://designstart.arm.com/ 下載。ARM DesignStart 線上存取計劃(online access program )提供業界最完整的線上IP元件庫。DesignStart 包含超過10,000個線上存取的標準、記憶體和互連結構元件庫。有部份的資料庫是由晶圓廠所贊助成立，並可供免費存取。除此之外ARM部分最受歡迎的ARM處理器產品系列也具備已獲業界實證的處理器設計工具組。
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