Spansion展示採用90nm MirrorBit技術的高容量快閃記憶體解決方案

本文作者:admin       點擊: 2005-11-02 00:00
前言:
1 Gb NOR和ORNAND晶片爲無線和嵌入式應用增加程式碼和資料儲存能力

由AMD(NYSE:AMD)和富士通(TSE:6702)共同投資的快閃記憶體公司Spansion LLC,今天展出 90nm MirrorBit™技術的單晶片1Gb GL NOR快閃記憶體,並且示範操作1Gb ORNAND™産品的工作晶片。Spansion位於德州奧斯汀的旗艦製造廠Fab 25所生産的Spansion™ 90nm MirrorBit技術的産品,爲極受關注的高容量快閃記憶體開發計劃奠定了基礎。該項計劃旨在開發多款滿足無線和嵌入式應用,並結合所需容量、性能、可靠性和成本結構等優勢於一身的快閃記憶體産品。

Spansion總裁兼首席執行長 Bertrand Cambou表示:「我們成功地在2005年將MirrorBit技術擴展到了90nm。這是一個新的里程碑。很多客戶都希望利用NOR架構來儲存執行程式碼,因爲它具有很高的可靠性、讀取效能和容易使用特性。利用我們的NOR和ORNAND架構,並透過在90nm技術的基礎上將MirrorBit技術擴展到更高的容量,Spansion的客戶不僅可以繼續享受MirrorBit技術在程式碼儲存方面的好處,Spansion更可將MirrorBit技術擴展到無線及嵌入式設備儲存資料的應用。」

在Spansion Fab 25所舉辦的活動上,現場展示了一款採用90nm MirrorBit 技術,儲存資料於1Gb ORNAND的無線手持式設備應用。展示人員展出一個手持設備開發板;其配有Spansion NOR的快閃記憶體作為程式碼儲存,以及用於1Gb MirrorBit ORNAND的設備資料儲存。現場並操作多樣多媒體功能,包括相機、攝錄像機、音樂及影片錄放。此次展示證明了Spansion産品具有出色的讀取效能,可以明顯加快電話啓動和影片播放的速度。同時,在寫入速度的表現上,足夠支援一個每秒播放15格的QVGA 攝錄像機(320×240 pixels)。 

讀取效能決定了手機開機速度,以及多媒體內容的功能和應用(例如遊戲、影片和音樂)。更高的讀取效能帶給用戶使用無線電話多媒體功能更好的體驗。90nm MirrorBit技術能夠同時滿足嵌入式程式碼及資料儲存應用的需要。過去,這些應用主要使用NOR或NAND架構。而Spansion已經完成目前市場上最高容量的單晶片1Gb NOR產品。Spansion表示,該設備可以提供出色的讀取效能,滿足很多嵌入式應用對高容量程式碼和資料儲存的需求。

透過此次活動,Spansion也介紹了90nm MirrorBit 産品開發計劃的詳細情況,包括在今年計劃推出採用NOR和ORNAND架構的1Gb產品,以及在2006年中旬推出容量高達2Gb的ORNAND產品。此外,Spansion也預計在2006年初推出高性能1.8V 512Mb NOR樣品。同時也計畫在2006年開始生產65nm MirrorBit技術的産品。

MirrorBit技術簡介
MirrorBit 技術是Spansion一項創新的快閃記憶體技術。與傳統的浮動匣門技術相比,它具有高良率和低成本架構的特性。MirrorBit是利用一種絕緣記憶元件製造的,所需要的關鍵製造步驟比浮動匣門技術減少40%,可以帶來更高的良率,幫助生産廠商經濟有效地製造出容量和性能更高的産品。 


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