根據DRAMeXchange研究機構表示:DXI指數由上週的3013下降至3007，主要在反映DDR2現貨市場的價格小幅下滑。現貨市場方面，上週DDR 256Mb (32Mb*8) UTT在價格下跌最低至USD 1.77後已有開始止跌反彈到USD 1.8。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz價格維持在USD 2.10。至於DDR2部分現貨市場需求依舊疲弱，而Elpida已開始在現貨市場拋售庫存，使得DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格由USD 5.15小幅下跌至USD 5.09。而未來仍需觀察下週一的CEBIT展開始後是否會在PC淡季帶來新的需求。
DDR2現貨價與合約價於去年十二月維持些微價差。據傳，在今年一月初在DDR2合約市場缺貨效應下，有電腦系統廠商至現貨市場買進DDR2顆粒，導致DDR2現貨價狂漲遠超過DDR2合約價許多，並呈現黃金交义(圖一)。如此走勢持續至二月底，DDR2現貨價漲勢己告一段落並呈現微幅下跌。相對DDR2合約價於三月上旬仍呈現上漲趨勢，技術圖形上，DDR2現貨價與合約價已呈現死亡交义訊號(圖一)，預告DDR2三月下旬合約價漲勢將歇，可能成交持平，或有機會小幅向下修正。
DDR2現貨價格走勢趨軟也多少反映，電腦系統廠商至現貨市場買進DDR2顆粒需求不再，DDR2缺貨情形趨緩。根據DRAM廠的生產時程，若因應DDR2需求，於今年一月初調高DDR2投片比例，預計於三月下旬，DDR2產出將陸續增加，加上接近淡季，需求會開始減弱。另外，由於一、二月受到DDR2缺貨壓力，部份電腦系統廠商會大量拉高對DRAM廠提出的DDR2需求量，以確保可以拿到更多的貨源，造成供給缺口高達五,六成的現象。但我們相信，在三月下旬後，DDR2缺貨現象將趨緩。
三月上旬合約價,高低價漲幅大不同
根據DRAMeXchange所調查的三月上旬合約價，與二月下旬頪似的是高低價呈現截然不同的漲幅。但二月下旬的談判結果，高價區( the highs)漲幅超過10%，低價區(the lows)僅小漲2-3%。三月上旬，高價區則僅小漲2%，而低價區漲幅達10%。造成如此差異化的主要原因主要是因為(1)有些許廠商在二月上旬大漲後，同意有些客戶鎖定二月下旬合約價，造成低價上漲有限。而且，由於每家廠商與每家電腦系統廠商依據彼此合作條件的差異，漲幅也呈現差異性。(2)三月上旬，DRAM廠堅持將低價調高，至少DDR2 256MB最低成交至美金$22，均價也拉高至美金$23。但相對上次已接受漲幅超過10%的客戶，僅小幅漲2-3%，拉近了高低價的價差。DDR則在DDR2的強力支持下，價格仍維持持平，有些客戶表示有接受DDR小漲，以確保DDR2的供應量。
圖一 DDR2 512Mb Spot Price vs. Contract Price
NAND Flash 現貨價格大體穩定，浮動比率降至4%以內
在上個月至今的一個月中所經歷的最高18%的劇烈跌幅之後，在3月1日到6日的一周內，NAND Flash終於穩住了價格下跌趨勢，最大跌幅僅於4Gb降至4%。受到NAND Flash近來低價的刺激進而激起記憶卡製造商的小量需求，而國內市場主要的需求是以1Gb 和 2Gb顆粒為主，而韓國市場主要關注的是以4Gb 和16Gb的顆粒。除了來自NAND型裝置製造商的需求以外，我們還看到投機商也開始收1Gb 和 2Gb貨，因此有助於這些顆粒目前的價格保持在穩定的水準。然而，總體需求不足以強勁到扭轉價格跌勢，市產的貿易商仍處在觀望等待CeBIT展會之後的接單狀況。
高容量NAND Flash晶片的供應仍然佔據了近來現貨市場的主要份額，但代理商和消費者手中也有大量的存貨。隨著2Gb, 4Gb、8Gb NAND Flash晶片價格跌破US$9、US$15 、 US$30，，我們認為，製造商為了銷售給客戶，這些晶片三月的合約價將有持續下跌的價格壓力。
Mar-01 Mar-06 %
1Gb $5.12 $5.11 0%
2Gb $8.18 $8.02 -2%
4Gb $13.63 $13.14 -4%
8Gb $30.10 $29.14 -3%
16Gb $46.60 $45.00 -3%
Source: DRAMeXchange, March, 2006
DDR2現貨價與合約價於去年十二月維持些微價差。據傳，在今年一月初在DDR2合約市場缺貨效應下，有電腦系統廠商至現貨市場買進DDR2顆粒，導致DDR2現貨價狂漲遠超過DDR2合約價許多，並呈現黃金交义(圖一)。如此走勢持續至二月底，DDR2現貨價漲勢己告一段落並呈現微幅下跌。相對DDR2合約價於三月上旬仍呈現上漲趨勢，技術圖形上，DDR2現貨價與合約價已呈現死亡交义訊號(圖一)，預告DDR2三月下旬合約價漲勢將歇，可能成交持平，或有機會小幅向下修正。
DDR2現貨價格走勢趨軟也多少反映，電腦系統廠商至現貨市場買進DDR2顆粒需求不再，DDR2缺貨情形趨緩。根據DRAM廠的生產時程，若因應DDR2需求，於今年一月初調高DDR2投片比例，預計於三月下旬，DDR2產出將陸續增加，加上接近淡季，需求會開始減弱。另外，由於一、二月受到DDR2缺貨壓力，部份電腦系統廠商會大量拉高對DRAM廠提出的DDR2需求量，以確保可以拿到更多的貨源，造成供給缺口高達五,六成的現象。但我們相信，在三月下旬後，DDR2缺貨現象將趨緩。
三月上旬合約價,高低價漲幅大不同
根據DRAMeXchange所調查的三月上旬合約價，與二月下旬頪似的是高低價呈現截然不同的漲幅。但二月下旬的談判結果，高價區( the highs)漲幅超過10%，低價區(the lows)僅小漲2-3%。三月上旬，高價區則僅小漲2%，而低價區漲幅達10%。造成如此差異化的主要原因主要是因為(1)有些許廠商在二月上旬大漲後，同意有些客戶鎖定二月下旬合約價，造成低價上漲有限。而且，由於每家廠商與每家電腦系統廠商依據彼此合作條件的差異，漲幅也呈現差異性。(2)三月上旬，DRAM廠堅持將低價調高，至少DDR2 256MB最低成交至美金$22，均價也拉高至美金$23。但相對上次已接受漲幅超過10%的客戶，僅小幅漲2-3%，拉近了高低價的價差。DDR則在DDR2的強力支持下，價格仍維持持平，有些客戶表示有接受DDR小漲，以確保DDR2的供應量。
圖一 DDR2 512Mb Spot Price vs. Contract Price
NAND Flash 現貨價格大體穩定，浮動比率降至4%以內
在上個月至今的一個月中所經歷的最高18%的劇烈跌幅之後，在3月1日到6日的一周內，NAND Flash終於穩住了價格下跌趨勢，最大跌幅僅於4Gb降至4%。受到NAND Flash近來低價的刺激進而激起記憶卡製造商的小量需求，而國內市場主要的需求是以1Gb 和 2Gb顆粒為主，而韓國市場主要關注的是以4Gb 和16Gb的顆粒。除了來自NAND型裝置製造商的需求以外，我們還看到投機商也開始收1Gb 和 2Gb貨，因此有助於這些顆粒目前的價格保持在穩定的水準。然而，總體需求不足以強勁到扭轉價格跌勢，市產的貿易商仍處在觀望等待CeBIT展會之後的接單狀況。
高容量NAND Flash晶片的供應仍然佔據了近來現貨市場的主要份額，但代理商和消費者手中也有大量的存貨。隨著2Gb, 4Gb、8Gb NAND Flash晶片價格跌破US$9、US$15 、 US$30，，我們認為，製造商為了銷售給客戶，這些晶片三月的合約價將有持續下跌的價格壓力。
Mar-01 Mar-06 %
1Gb $5.12 $5.11 0%
2Gb $8.18 $8.02 -2%
4Gb $13.63 $13.14 -4%
8Gb $30.10 $29.14 -3%
16Gb $46.60 $45.00 -3%
Source: DRAMeXchange, March, 2006
