KLA-Tencor發表其第三代的磁性度量系統 － MRW3™，可供應硬碟機 (HDD) 以及半導體記憶體市場。 MRW3 是以領先市場的 MRW200 平台為架構，能夠測量產品晶圓中 HDD 讀寫頭以及磁電阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 的磁性質，以利生產控制並可儘早偵測到對於良率有不利影響的製程問題。 MRW3 利用了專利的封閉環磁系統 (closed-loop magnet system)，提供了絕佳的磁場重複性 (低於 0.1 厄斯特)，但是卻不會犧牲其效能優勢，每個電阻/磁場轉換曲線比低於 1 秒。 此外，MRW3 也引進了例如 GEM/SECS 工廠自動化的特色，高可靠性 (1000 小時 MTBF) 與 200 與 300毫米的雙重配置，使其成為現今市場中第一個 “fab-ready” (可立即用於晶圓廠) 的準靜態檢驗系統。 MRW3 系統已經在全球領先的某家半導體製造公司中完成了大量的測試評估。
先進的 HDD 讀寫頭以及 MRAM 在其核心技術中使用磁性穿隧接合，是下一代非揮發性固態記憶體的領先選擇。 MRW3 系統整合了特別的功能以加速此一重要新技術的開發，包括定壓電子和位元切換測試。 根據在磁性穿隧接合(magnetic tunnel junctions)研究領域中首屈一指的 Janusz Nowak 研究員指出：「KLA-Tencor MRW3 提供了一項極為重要的測量能力，可使用磁性穿隧接合加速裝置的開發與生產。」
「資料儲存的需求近來加速增加，大半是由於消費者電子產品的原因。」KLA-Tencor 成長與新興市場部門的副總裁與總經理 Jeff Donnelly 表示： 「為了迎合這種需求，我們的資料儲存與半導體客戶已針對先進的磁性裝置開發進行投資。 MRW3 的設計理念便是要協助我們的客戶加速其開發過程，並且縮短轉換為大量生產之前的過渡時間。」
KLA-Tencor 目前已接受 MRW3 的訂單。預計在本月份開始出貨。
先進的 HDD 讀寫頭以及 MRAM 在其核心技術中使用磁性穿隧接合，是下一代非揮發性固態記憶體的領先選擇。 MRW3 系統整合了特別的功能以加速此一重要新技術的開發，包括定壓電子和位元切換測試。 根據在磁性穿隧接合(magnetic tunnel junctions)研究領域中首屈一指的 Janusz Nowak 研究員指出：「KLA-Tencor MRW3 提供了一項極為重要的測量能力，可使用磁性穿隧接合加速裝置的開發與生產。」
「資料儲存的需求近來加速增加，大半是由於消費者電子產品的原因。」KLA-Tencor 成長與新興市場部門的副總裁與總經理 Jeff Donnelly 表示： 「為了迎合這種需求，我們的資料儲存與半導體客戶已針對先進的磁性裝置開發進行投資。 MRW3 的設計理念便是要協助我們的客戶加速其開發過程，並且縮短轉換為大量生產之前的過渡時間。」
KLA-Tencor 目前已接受 MRW3 的訂單。預計在本月份開始出貨。
