近期現貨市場DRAM報價出現大幅上漲走勢，DDR2 eTT顆粒上漲至2.07美元，漲幅達29.4%。而品牌顆粒DDR2 512Mb 64M*8則上漲至2.06美元。DDR2 eTT價格漲勢驚人，甚至已經超越品牌價格形成黃金交叉，以過往歷史經驗觀察，將有機會帶動現貨市場的品牌顆粒價格上揚。
根據集邦科技（DRAMeXchange）分析，近期現貨報價反彈大約可以歸納為下列兩種原因：
首先是中國華南地區嚴抓走私DRAM，促使深圳地區的通路商積極備貨，帶動價格上漲。一般DRAM產品經由海關進入中國市場，必須要課徵17%的關稅，因此對於價格波動非常大的現貨市場而言，從香港走私進去的DRAM產品成為部份大陸通路商的競爭模式，而近期華南地區嚴抓走私的政策，相關廠商為了避免缺貨而積極備貨，進而帶動DRAM現貨價格的上漲。
另一項重要因素是，近期台系DRAM廠商紛紛轉進70nm，拉長cycle time，使得五、六月份產出減少。雖然減少幅度不大，但是由於台系廠商主要供貨到現貨市場為主，在預期現貨市場供給量減少的情況下，帶動現貨市場報價大幅反彈。預期七、八月以後台系廠商70nm製程進度將較為順利。
完整研究報告與更多相關資訊，請參閱http://www.dramexchange.com/WeeklyResearch/SectionPage.aspx?SectionID=2
根據集邦科技（DRAMeXchange）分析，近期現貨報價反彈大約可以歸納為下列兩種原因：
首先是中國華南地區嚴抓走私DRAM，促使深圳地區的通路商積極備貨，帶動價格上漲。一般DRAM產品經由海關進入中國市場，必須要課徵17%的關稅，因此對於價格波動非常大的現貨市場而言，從香港走私進去的DRAM產品成為部份大陸通路商的競爭模式，而近期華南地區嚴抓走私的政策，相關廠商為了避免缺貨而積極備貨，進而帶動DRAM現貨價格的上漲。
另一項重要因素是，近期台系DRAM廠商紛紛轉進70nm，拉長cycle time，使得五、六月份產出減少。雖然減少幅度不大，但是由於台系廠商主要供貨到現貨市場為主，在預期現貨市場供給量減少的情況下，帶動現貨市場報價大幅反彈。預期七、八月以後台系廠商70nm製程進度將較為順利。
完整研究報告與更多相關資訊，請參閱http://www.dramexchange.com/WeeklyResearch/SectionPage.aspx?SectionID=2
