富士通全新2Mbit FRAM 元件正式量產

富士通微電子有限公司台灣分公司宣佈其2Mbit FRAM 記憶體晶片已開始供貨上市，為目前全球可量產的最大容量FRAM 元件。富士通的MB85R2001 和MB5R2002 晶片內建非揮發性記憶體，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入週期等特點，適用於汽車導航系統、多功能印表機、測量儀器及其它需使用非揮發性記憶體來儲存各種參數、記錄設備操作條件與保存安全資訊的各項高階應用。

FRAM 元件的高速資料寫入和大量寫入週期功能，非常適合辦公設備中儲存事件計數或參數，以及記錄各種事件等用途。FRAM 元件可提供100 億次的讀/寫週期，相當於以每秒寫入30 次的速率連續寫入10 年。此外，FRAM 元件不需電池即可儲存資料達10 年以上。即使當儀表設備等應用面臨電源臨時中斷之情況，富士通的FRAM 寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM 元件，而不會損失任何重要資料。

MB85R2001 晶片組態為256K 字數x 8 位元；MB85R2002 晶片組態為128K 字數x16 位元。此兩種格式的讀取時間均為100ns，讀/寫週期則為150ns，操作電壓則介於3V到3.6V 之間。

富士通微電子亞太區系統LSI 產品市場部副總監鄭國威先生表示：「FRAM 技術對於那些需要大量寫入週期、低功耗及高速資料寫入等功能的應用設備是最理想的選擇。

這些新的FRAM 元件具備增強功能與更大的記憶體容量，可滿足新型汽車、儀表設備及其它高階設計的要求。此外，新款FRAM 元件具備富士通1Mbit FRAM 的電氣特性，只需增加連接一個位址，即可輕易轉移至更高容量的版本。」

富士通微電子領先業界投入FRAM 開發，並從1999 年起就開始FRAM 的量產，到目前為止，其FRAM 元件的全球銷售量已超過5 億顆，其中包括獨立型記憶體晶片與嵌入式FRAM 記憶體晶片。為因應市場對於FRAM 記憶體的需求持續增加，富士通決定將記憶體的容量加倍，並開發出MB85R2001 和MB85R2002 元件產品。相較於以電池供電的SRAM 元件，FRAM 無需使用電池的優勢，可讓顧客簡化生產流程，並省去更換電池及產品維護的麻煩。與富士通其他所有的FRAM 元件一樣，MB85R2001 和MB85R2002 藉由減少材料使用量，以符合環保相關國際法規。

新款的2Mbit FRAM 元件與目前富士通正量產的1Mbit FRAM 元件—MB85R1001和MB85R1002—具備相同的電氣特性，並採用TSOP-48 封裝方式。只需增加連接一個位址，顧客即可將1Mbit FRAM 元件轉移至2Mbit 的元件上。因此，顧客可根據所需的記憶體容量，在同一塊印刷電路板上選擇使用1Mbit 或2Mbit 的FRAM 元件。

售價與上市時程
採用48 針腳TSOP 封裝方式的全新FRAM 元件現已供貨上市，售價是根據需求而定。

關於香港商富士通微電子有限公司台灣分公司(Fujitsu Microelectronics Pacific Asia
Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員，主要負責富士通微電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。

香港商富士通微電子有限公司台灣分公司的產品包括：專用積體電路（ASIC）、微控制器（MCU）、特定應用標準產品（ASSP）/系統單晶片（SoC）和系統儲存晶片。該公司的前身為1996 年10 月29 日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司，並於2005 年7 月5 日正式更名。富士通微型電子亞太有限公司與富士通微電子（上海）有限公司、新加坡的富士通微電子亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fmc/tw 網站。