非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出2百萬位元 (Mb) 並行記憶體產品，進一步擴充其高密度F-RAM產品系列的陣容。FM21L16是採用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb並行非揮發性RAM，具有高速存取、NoDelay™ (無延遲) 寫入、幾乎無限次數的讀/寫週期和低功耗等特點，其接腳與非同步靜態RAM (SRAM) 的接腳相容。FM21L16的主要目標以需要SRAM為基礎的工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲及電腦等應用為主。
Ramtron 策略行銷經理Duncan Bennett表示：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款F-RAM器件，是高密度獨立式F-RAM記憶體系列的新一代產品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池供電SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM的具成本效益之解決方案。除了成本低及占位面積小的優勢外，F-RAM比MRAM消耗更少的動態功耗與待機功耗，並且不需要像BBSRAM與NVSRAM一樣，分別需要使用電池或板上電容來為資料備份。”
FM21L16特點
FM21L16是128K x 16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面，能以匯流排速度進行讀寫作業，具有至少100兆 (trillion) 次寫入和資料保存超過10年的耐久性。該器件的存取時間為60ns，週期為110ns，當中包括一個先進寫入保護方案，以避免意外的寫入與資料損壞。
這種2Mb F-RAM是標準非同步SRAM的簡易替代產品，在進行資料備份時不需要電池，從而大幅地提升部件與系統的可靠性。與電池供電SRAM不同的是，FM21L16是真正的表面黏著解決方案，不需要電池附接的返修 (rework) 步驟，並免受潮濕、衝擊和振動的危害。
FM21L16具有能與現今高性能微處理器相連的工業標準平行介面，同時也具有高速頁面模式，此一模式讓它能夠實現每秒80百萬位元組的峰值頻寬，是市場上速度最快的非揮發性記憶體方案之一。該器件的工作電流比標準的SRAM還要低，在讀/寫作業時為18mA，在超低電流睡眠模式下更只有5uA。FM21L16在 -40℃至 +85℃的完整工業溫度範圍內，以2.7至3.6V的電壓工作。要瞭解更多與FM21L16產品相關的資訊，請瀏覽網頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
Ramtron 策略行銷經理Duncan Bennett表示：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款F-RAM器件，是高密度獨立式F-RAM記憶體系列的新一代產品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池供電SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM的具成本效益之解決方案。除了成本低及占位面積小的優勢外，F-RAM比MRAM消耗更少的動態功耗與待機功耗，並且不需要像BBSRAM與NVSRAM一樣，分別需要使用電池或板上電容來為資料備份。”
FM21L16特點
FM21L16是128K x 16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面，能以匯流排速度進行讀寫作業，具有至少100兆 (trillion) 次寫入和資料保存超過10年的耐久性。該器件的存取時間為60ns，週期為110ns，當中包括一個先進寫入保護方案，以避免意外的寫入與資料損壞。
這種2Mb F-RAM是標準非同步SRAM的簡易替代產品，在進行資料備份時不需要電池，從而大幅地提升部件與系統的可靠性。與電池供電SRAM不同的是，FM21L16是真正的表面黏著解決方案，不需要電池附接的返修 (rework) 步驟，並免受潮濕、衝擊和振動的危害。
FM21L16具有能與現今高性能微處理器相連的工業標準平行介面，同時也具有高速頁面模式，此一模式讓它能夠實現每秒80百萬位元組的峰值頻寬，是市場上速度最快的非揮發性記憶體方案之一。該器件的工作電流比標準的SRAM還要低，在讀/寫作業時為18mA，在超低電流睡眠模式下更只有5uA。FM21L16在 -40℃至 +85℃的完整工業溫度範圍內，以2.7至3.6V的電壓工作。要瞭解更多與FM21L16產品相關的資訊，請瀏覽網頁
