Cypress Semiconductor發表一款全新4-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具備15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色，十分適合需要持續高速寫入資料，與絕對非揮發資料安全等應用，包括：RAID的應用、環境嚴苛的工業控制、以及在汽車、醫療、數據通訊系統中的資料記錄功能。
nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供最佳替代方案。相較於電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低，而且比MRAM或鐵電記憶體（FRAM）更為經濟實惠。此最新nvSRAM產品也是Cypress所推出一系列nvSRAMs中的最新產品，包括256K-與1-Mbit的nvSRAM元件，並且皆已量產供貨中。預計在2008年上半季將會陸續發表更多產品。
此款全新4-Mbit nvSRAMs採用Cypress的S8™ 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。Cypress為SONOS製程技術之領導廠商，未來亦會將S8技術運用在下一世代的PSoC®混合訊號陣列、OvationONS™雷射導引感測器（navigation sensors）、可編程時脈以及其他產品上。SONOS除了高度相容於標準型CMOS技術外，還具備許多優點包括：高耐用度、低功耗、抗輻射。此外，與其他嵌入式非揮發性記憶體技術相較，SONOS可提供更穩定、兼具量產規模與經濟效益的解決方案。
Cypress非揮發性記憶體事業部副總裁Robert Dunnigan表示：「nvSRAM整合SRAM與非揮發性記憶體這兩個Cypress的既有優勢，成為單一高效能的解決方案，以因應許多應用所需。此外我們也為這些產品提供最廣泛的市場應用與支援。」
Cypress新產開發執行副總裁Paul Keswick表示：「這項新產品的上市代表了Cypress在製程開發創新的一個重要觸發點。我們已經將內部資源轉向如S8等附加價值高、專屬的製程技術，來開發出各類市場的解決方案。目前有許多重要的新產品正在利用這項製程進行開發。」
4-Mbit nvSRAM目前有512-Kbit x 8 (CY14B104L)及256-Kbit x 16 (CY14B104N) 兩種選擇，皆符合ROHS規範，可直接取代SRAM、電池備援SRAM、EPROM和EEPROM等元件，提供可靠、免電池的非揮發資料儲存功能。在電源關閉時，資料就會自動從SRAM傳輸到裝置的非揮發性元件中；當電源開啟時，該資料又會從非揮發性記憶體回存至SRAM中。這兩種運作皆可透過軟體控制。
供貨時程
Cypressy最新的4-Mbit nvSRAM目前正在開發樣本階段，並在2008年第一季開始量產。
nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供最佳替代方案。相較於電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低，而且比MRAM或鐵電記憶體（FRAM）更為經濟實惠。此最新nvSRAM產品也是Cypress所推出一系列nvSRAMs中的最新產品，包括256K-與1-Mbit的nvSRAM元件，並且皆已量產供貨中。預計在2008年上半季將會陸續發表更多產品。
此款全新4-Mbit nvSRAMs採用Cypress的S8™ 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。Cypress為SONOS製程技術之領導廠商，未來亦會將S8技術運用在下一世代的PSoC®混合訊號陣列、OvationONS™雷射導引感測器（navigation sensors）、可編程時脈以及其他產品上。SONOS除了高度相容於標準型CMOS技術外，還具備許多優點包括：高耐用度、低功耗、抗輻射。此外，與其他嵌入式非揮發性記憶體技術相較，SONOS可提供更穩定、兼具量產規模與經濟效益的解決方案。
Cypress非揮發性記憶體事業部副總裁Robert Dunnigan表示：「nvSRAM整合SRAM與非揮發性記憶體這兩個Cypress的既有優勢，成為單一高效能的解決方案，以因應許多應用所需。此外我們也為這些產品提供最廣泛的市場應用與支援。」
Cypress新產開發執行副總裁Paul Keswick表示：「這項新產品的上市代表了Cypress在製程開發創新的一個重要觸發點。我們已經將內部資源轉向如S8等附加價值高、專屬的製程技術，來開發出各類市場的解決方案。目前有許多重要的新產品正在利用這項製程進行開發。」
4-Mbit nvSRAM目前有512-Kbit x 8 (CY14B104L)及256-Kbit x 16 (CY14B104N) 兩種選擇，皆符合ROHS規範，可直接取代SRAM、電池備援SRAM、EPROM和EEPROM等元件，提供可靠、免電池的非揮發資料儲存功能。在電源關閉時，資料就會自動從SRAM傳輸到裝置的非揮發性元件中；當電源開啟時，該資料又會從非揮發性記憶體回存至SRAM中。這兩種運作皆可透過軟體控制。
供貨時程
Cypressy最新的4-Mbit nvSRAM目前正在開發樣本階段，並在2008年第一季開始量產。
