上週（10/22-10/29）現貨市場eTT顆粒價格短期反彈至高點後開始拉回，DDR2 512Mb eTT收在1.05美元，跌幅約10.2%；而品牌顆粒並未受影響，跌幅僅有5.8%。就市場面觀察，這次跌價的原因，主要是DDR2 eTT的供給大量開出、買氣縮手，加上本週適逢月底做帳，買方除非有訂單在手，否則不會進場買貨，以及上週所釋出的DDR2 eTT顆粒尚未消化完畢；因此DDR2 eTT顆粒將會很快再回探並逼近1美元的價位。
DRAM十一月、十二月合約價下跌幅度有限
在PC需求方面，受到整體性的需求不佳與次級房貸的影響，第四季出貨量將比往年同期衰退5%，然而在DRAM廠尚未達成減產的共識下，十一月份合約價將有可能持續走低。但由於合約價在十月已下跌頗深，DRAM廠不願意再大幅降價。預計十一月、十二月合約價繼續下跌幅度有限。
集邦預估明年DRAM供給位元成長約50%，DRAM需求成長約40%
集邦科技最新研究報告指出，明年DRAM廠於DRAM資本支出將下降20%-25% YoY，而12吋廠產能的擴張也減緩，主要產能擴張來自台系廠如南科、茂德、瑞晶；而國際大廠主要產出增加來自70nm或更先進製程的轉進；至於韓系廠商三星（Samsung）及海力士（Hynix）雖說明年在DRAM產能沒有擴張的計劃，但以其製程轉進能力，三星仍預期明年DRAM供給位元成長70%。整體而言，集邦科技預估明年DRAM供給位元成長約50%，DRAM需求成長約40%。
NAND Flash十月下旬合約價平均下跌約0-10%
十月下旬NAND Flash合約價平均下跌約0-10%左右，主要是因為下游廠商目前仍在積極的促銷降價活動，藉此降低其庫存水位，再來進行年底旺季的備貨，使得十月 份下游客戶的補貨量相對來說顯得不大；其中8Gb以上的MLC NAND Flash產品供貨量，隨著廠商5X nm製程的產出量增加，所以跌幅相對的較其它NAND Flash的產品稍大。集邦科技預期十一月份廠商庫存及客戶年底需求狀況將會進一步改善，而NAND Flash合約價價格屆時將會比較持穩。
DRAM十一月、十二月合約價下跌幅度有限
在PC需求方面，受到整體性的需求不佳與次級房貸的影響，第四季出貨量將比往年同期衰退5%，然而在DRAM廠尚未達成減產的共識下，十一月份合約價將有可能持續走低。但由於合約價在十月已下跌頗深，DRAM廠不願意再大幅降價。預計十一月、十二月合約價繼續下跌幅度有限。
集邦預估明年DRAM供給位元成長約50%，DRAM需求成長約40%
集邦科技最新研究報告指出，明年DRAM廠於DRAM資本支出將下降20%-25% YoY，而12吋廠產能的擴張也減緩，主要產能擴張來自台系廠如南科、茂德、瑞晶；而國際大廠主要產出增加來自70nm或更先進製程的轉進；至於韓系廠商三星（Samsung）及海力士（Hynix）雖說明年在DRAM產能沒有擴張的計劃，但以其製程轉進能力，三星仍預期明年DRAM供給位元成長70%。整體而言，集邦科技預估明年DRAM供給位元成長約50%，DRAM需求成長約40%。
NAND Flash十月下旬合約價平均下跌約0-10%
十月下旬NAND Flash合約價平均下跌約0-10%左右，主要是因為下游廠商目前仍在積極的促銷降價活動，藉此降低其庫存水位，再來進行年底旺季的備貨，使得十月 份下游客戶的補貨量相對來說顯得不大；其中8Gb以上的MLC NAND Flash產品供貨量，隨著廠商5X nm製程的產出量增加，所以跌幅相對的較其它NAND Flash的產品稍大。集邦科技預期十一月份廠商庫存及客戶年底需求狀況將會進一步改善，而NAND Flash合約價價格屆時將會比較持穩。
