奇夢達與爾必達進行技術合作聯手開發4F² DRAM Cell

(2008年4月24日，臺北訊) – 兩大全球記憶體領導供應商奇夢達公司 (NYSE:QI) 與爾必達公司 (Tokyo SE: 6665) 今天宣布簽定共同開發技術合作意向書，將聯手開發新一代的記憶體晶片(DRAM)。在此項合作計畫，奇夢達將提供其創新Buried Wordline 的關鍵技術，爾必達則將提供其先進的堆疊技術。此項策略技術合作將可結合兩家公司的力量，加速在DRAM 4F² cell尺寸產品藍圖的發展。 兩家公司計畫將在2010 年推出此共同開發、達到40奈米世代 的創新4F² cell 概念，未來並將進一步推展至30奈米世代。

奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「此項與爾必達的策略合作是對我們創新Buried Wordline 技術的最大肯定，奇夢達並希望藉由此項合作關係加速小尺寸4F² cell的推出。此項技術合作為我們兩大 DRAM 技術領導者創造了絕佳的機會，在研發與未來共同量產的資源上達到更好的經濟規模。」

爾必達社長暨執行長坂本幸雄(Yukio Sakamoto)表示:「我們在研發上持續的努力，使我們能夠在DRAM技術上保持領先。在目前既艱困又高度競爭的市場環境下，更快及更有效能的研發新技術愈趨重要。我們相信這次與奇夢達共同發展的合作，將更加速與強化我們在技術上的領先，帶領我們邁向DRAM市場中的頂尖地位。」

兩家公司計畫共同發展技術平台及設計規範，以促成產品交換及合資生產的可行性。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，包括雙方工程師的互換交流。此外，雙方也同意在直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via)及未來記憶體的領域中，尋求共同發展的機會。

繼今日的合作意向書後，奇夢達及爾必達預計於適當的時間內，完成相關協商及確認合約細節。

關於爾必達
爾必達（TSE 6665）為DRAM半導體晶片的領先生產商。該公司世界級的技術專長支援其設計、製造以及銷售業務。其12吋製造工廠廣島廠以及在台灣的合資企業瑞晶電子皆採用業界最先進的製造技術。爾必達公司的高級產品組合以高密度、高速率、低功率等性能以及小巧的包裝外形為特色，並提供涵蓋各領域的應用產品，包括高階伺服器、行動電話以及數位消費者電子產品。更多資訊請參考爾必達網站http://www.elpida.com 。

關於奇夢達
奇夢達(NYSE: QI)為全球DRAM記憶體產品領導供應商，旗下擁有多元化DRAM產品組合。奇夢達在2007會計年度營收達36.1億歐元，全球約有一萬三千五百名員工，運用遍佈三大洲共五座12吋的晶圓廠，在全世界擁有六個主要的研發機構。奇夢達公司採用電源節約技術及設計，提供各類型應用的DRAM產品，包括個人電腦、伺服器、行動通訊及消費性產品等。更多資訊請參考奇夢達網站: www.qimonda.com。