前言：
目前以DRAM及FLASH高居全球記憶體市場冠、亞軍地位的排行榜，何時會出現變化？2008 VLSI研討會邀請韓國三星院士Kinnam Kim 以「新世代記憶體的挑戰與機會」發表演說。
Kinnam Kim表示，三星除了以新技術不斷探索DRAM及FLASH極限外，也對新一代的記憶體接班人投入相當資源研發。他認為，相變化記憶體PRAM將先取代NOR FLASH，未來一旦在延長操作壽命及縮小尺寸面積上做出具體改善，就有機會進一步取代DRAM及NAND FLASH的市場。
製程技術瓶頸
目前，DRAM的技術推進到60奈米(nm)，NAND Flash的技術推進到50nm，預估未來在40及30nm時，必定遇到兩大挑戰。
挑戰之一是，技術。對DRAM而言，為追求面積更小，將導致電容變小，而當電容變小時，卻仍須保持訊號正確，是技術一大挑戰。對NAND FLASH而言，由於電荷存在緣層，漏電(leakage current)問題會導致資料漏失。
挑戰之二是，經濟效益。即使投下巨大投資在製程設備及良率提升與改善，克服了技術的難題，得到了晶片面積縮小，晶粒多些的成果，但在量多價跌的經濟效益前提下，更多的產量，並不保證能夠帶來等比例的經濟回收。
堆疊式(Stack)技術勝出
DRAM追求面積更小，導致電容變小，為了保持訊號正確，在製作技術上，衍生兩大派別，分別是溝槽式(Trehch)及堆疊式(Stack)，目前已經明顯由堆疊式(Stack)技術勝出。三星採用堆疊式(Stack)技術，已經實踐電容由2D變成3D，做到電容在25fF時，電信還能辨認。
NAND FLASH在面積變小時，所導致的漏電現象會使得資料流失，三星花了很大的力氣，在90nm製程上，做出立體的電晶體，為此三星還特別將此創新的3D結構結構，命名為S-RACT。
此一堆疊式結構，三星從90nm開始試做，並已做出1Gb DRAM。預估目前已採60nm製程的DRAM，將可透過此新3D結構，推進到50nm。至於未來進一步推進到40nm時，則要靠FinFET技術來抑制短通道效應(Short Channel Effect)。
DRAM追求1V以下電壓
DRAM的功率消耗，是一大課題。為了降低操作功率，降低操作電壓，成了必要的趨勢。這個趨勢從3.3V、2.5V、1.8V、一路降低到1.5V，未來，1V以下的操作電壓，雖然技術上非常挑戰，但並非不可能。
DRAM市場的經濟面，每年DRAM消耗量，以位元計算，需求年成長50％～70％，這個需求趨勢，看來將持續下去。但相較於市場營收，每年卻只成長10%。由於DRAM市場價格很難控制，導致DRAM未來投資趨向保守化。
DRAM為了擺脫這樣的命運，必須開拓新興的應用領域，目前包括在繪圖晶片卡、消費電子及手機等，都有積極努力的嘗試，但比起NAND FLASH快速成長的趨勢，Kinnam Kim認為，並不足以樂觀看待DRAM的未來。
NAND FLASH成長動能大
行動世代(Mobile Era)的各種新興應用，導致NAND FLASH的市場成長率，以每年2倍的速度成長，而且此一成長趨勢，隨著NAND FLASH記憶容量太小的問題，如今已經大有突破，看來將持續下去。
一方面，NAND FLASH相較於其他的技術，其簡易的結構，以及最小的位元面積(cell size)，可讓記憶體容量增加得很快。此外，新技術的推出，讓NAND FLASH可以做出3 bit/cell結構，又進一步讓容量增加得更快。
Kinnam Kim指出，預估在2010年以前，採40nm技術，容量達32~64Gb的NAND FLASH，將可大量供應。
長遠的挑戰
對於NAND FLASH往40nm以下，DRAM往50nm以下，在技術上，將有兩大挑戰。其一是黃光微影(Lithography)製程上，最小特徵尺寸的挑戰。其二則是元件性能的挑戰。
所有半導體製程設備中，以微影設備投資最鉅，且技術也走在最前端。為了克服最小特徵尺寸的挑戰，三星自行研發的自我對準／重複曝光兩次(SADP, Self Aligned Double Patterning)的技術，讓原本用於40nm的微影設備，可延用到30nm。
其次，影響元件性能的一個例子是，在位元變小時，由於間距縮短，操作電壓訊號的耦合(Coupling)現象，對鄰近位元容易造成紀錄資料錯誤。對此，目前三星的解決之道是，電荷捕捉(Charge Trap)技術，應用於NAND FLASH記憶體非常有機會。
影響元件性能的第二個例子是，短通道效應(Short Channel Effect)，對此三星則開發出專用之立體位元電晶體(3D Cell Transistor)來改善短通道效應，三星還給予特別命名為HCFET(Hemi Cylindrical FET)。
Kinnam Kim點出，當NAND FLASH縮至20nm時，最有可能的是利用堆疊技術，來舒緩因為位元密度增加所給製程帶來的壓力，特別是黃光微影製程。
Kinnam Kim相信，NAND FLASH很快走入3D FLASH世代。目前三星積極的研發動作，短期已經已經從50nm向前推進到30nm，並上探20nm一路走下去。
NAND FLASH市場快速成長，數位相機的需求是很大的原動力。隨著每年位元數需求成長100%以上，NAND FLASH單位成本也隨之下降，而這又進一步促成MP3、手機、PC及SSD等新應用。
最新趨勢是，NAND FLASH應用於高可靠度的應用領域。過去，NAND FLASH大多應用於對讀寫千次就感到滿意的應用。如今，進入到強調高可靠度的應用，應用於SSD就是此一趨勢的最好說明。
NAND FLASH與硬碟，在大容量上的競賽上，目前得依賴MLC(Multiple Level per Cell)技術，但此技術卻會帶來可靠度較差的缺點。如何在追求「高容量」與「高可靠度」上權衡或妥協，是目前NAND FLASH遇上的天人交戰。
明日之星：PRAM
Kinnam Kim指出，所有非揮發性記憶體技術中，未來最有機會的是，PRAM。他舉出支持這種說法的原因包括PRAM具備尺寸小、可微縮、隨機讀取速度快、操作壽命長等優點。
PRAM需要新的材料，利用硫族化合物(GeSbTe, 簡稱GST)在結晶態與非結晶態，兩種阻值高、低不同的相變化(Phase Change)，區分來當作0與1，進而做為記憶體用途。
如果要以「高速」記憶體來做比較，除了DRAM之外，在非揮發性記憶體中，唯一可以與PRAM相比的只有NOR FLASH。
韓國三星目前PRAM開發進度，已經發表的最新成果為採90nm製程的512Mb PRAM，樣品已經完成，很快可以進入量產。而Intel目前對外公開的是128Mb樣品，也計畫在今(2008)年內量產。
交戰始於：65nm
Kinnam Kim認為，PRAM推進到65nm及45nm的時候，將與NOR FLASH開始競爭。他還大膽預言，利用二極體結構開關(Diode Type Switch)，PRAM可以達到小面積、通大電流的理想，他表示目前材料看來沒有限制，將可以從目前的90nm一路為縮至30nm。而目前研究焦點在於，如何提升加熱效率，而焦耳熱效應(Joule Heating)就是一個重要的研究主題。
所有記憶體技術進入50nm之後，逐漸遇上元件物理機制的基礎性極限。DRAM目前以60nm生產，未來在50nm將遇上大挑戰，技術也越來越難。未來，DRAM市場是否保持成長，Kinnam Kim表示，目前看來並不明朗。唯一解決的辦法就是，開拓新興應用領域，讓記憶體市場有新的成長動能。例如，需要大量資料運算及快速回應的影像即時辨識系統，就是一個例子。
Kinnam Kim指出，PRAM的第一步，將以取代NOR FLASH為目標。長遠來看，PRAM若能改善延長操作壽命及縮小尺寸面積等問題，將更有機會進一步與DRAM及NAND FLASH競爭。
名詞解釋：
相變化記憶體(PCM)發明人為S. R. Ovshinsky，他在1966年代表美國公司Energy Conversion Devices(簡稱"ECD")提出一篇美國專利，他指出，在硫屬化合物(Chalcogenide)中，結晶相與非晶相之間的光學性質及導電度都有顯著的不同，而這兩相間可進行快速、可逆、且穩定的轉換，適合做開關(switching)及記憶(memory)的使用。
用來描述相變化記憶體的名稱相當繁複，除了PCM(Phase Change Memory)外，包括OUM (Ovonic Unified Memory)、PRAM(Phase-change RAM)及CRAM (Chalcogenide RAM)等，其實都是相變化記憶體。
工研院電光所與台灣業者，於2006年組成的PCM聯盟，整合了力晶、南亞、華邦、茂德四家業者，目前已完成4Mb 相變化記憶體(PCM)雛形晶片的設計與製程開發。與三星院士Kinnam Kim在本文所說的PRAM，雖然稱法不同，但相同的都是被大家視為未來記憶體接班人的：相變化記憶體。
目前以DRAM及FLASH高居全球記憶體市場冠、亞軍地位的排行榜，何時會出現變化？2008 VLSI研討會邀請韓國三星院士Kinnam Kim 以「新世代記憶體的挑戰與機會」發表演說。
Kinnam Kim表示，三星除了以新技術不斷探索DRAM及FLASH極限外，也對新一代的記憶體接班人投入相當資源研發。他認為，相變化記憶體PRAM將先取代NOR FLASH，未來一旦在延長操作壽命及縮小尺寸面積上做出具體改善，就有機會進一步取代DRAM及NAND FLASH的市場。
製程技術瓶頸
目前，DRAM的技術推進到60奈米(nm)，NAND Flash的技術推進到50nm，預估未來在40及30nm時，必定遇到兩大挑戰。
挑戰之一是，技術。對DRAM而言，為追求面積更小，將導致電容變小，而當電容變小時，卻仍須保持訊號正確，是技術一大挑戰。對NAND FLASH而言，由於電荷存在緣層，漏電(leakage current)問題會導致資料漏失。
挑戰之二是，經濟效益。即使投下巨大投資在製程設備及良率提升與改善，克服了技術的難題，得到了晶片面積縮小，晶粒多些的成果，但在量多價跌的經濟效益前提下，更多的產量，並不保證能夠帶來等比例的經濟回收。
堆疊式(Stack)技術勝出
DRAM追求面積更小，導致電容變小，為了保持訊號正確，在製作技術上，衍生兩大派別，分別是溝槽式(Trehch)及堆疊式(Stack)，目前已經明顯由堆疊式(Stack)技術勝出。三星採用堆疊式(Stack)技術，已經實踐電容由2D變成3D，做到電容在25fF時，電信還能辨認。
NAND FLASH在面積變小時，所導致的漏電現象會使得資料流失，三星花了很大的力氣，在90nm製程上，做出立體的電晶體，為此三星還特別將此創新的3D結構結構，命名為S-RACT。
此一堆疊式結構，三星從90nm開始試做，並已做出1Gb DRAM。預估目前已採60nm製程的DRAM，將可透過此新3D結構，推進到50nm。至於未來進一步推進到40nm時，則要靠FinFET技術來抑制短通道效應(Short Channel Effect)。
DRAM追求1V以下電壓
DRAM的功率消耗，是一大課題。為了降低操作功率，降低操作電壓，成了必要的趨勢。這個趨勢從3.3V、2.5V、1.8V、一路降低到1.5V，未來，1V以下的操作電壓，雖然技術上非常挑戰，但並非不可能。
DRAM市場的經濟面，每年DRAM消耗量，以位元計算，需求年成長50％～70％，這個需求趨勢，看來將持續下去。但相較於市場營收，每年卻只成長10%。由於DRAM市場價格很難控制，導致DRAM未來投資趨向保守化。
DRAM為了擺脫這樣的命運，必須開拓新興的應用領域，目前包括在繪圖晶片卡、消費電子及手機等，都有積極努力的嘗試，但比起NAND FLASH快速成長的趨勢，Kinnam Kim認為，並不足以樂觀看待DRAM的未來。
NAND FLASH成長動能大
行動世代(Mobile Era)的各種新興應用，導致NAND FLASH的市場成長率，以每年2倍的速度成長，而且此一成長趨勢，隨著NAND FLASH記憶容量太小的問題，如今已經大有突破，看來將持續下去。
一方面，NAND FLASH相較於其他的技術，其簡易的結構，以及最小的位元面積(cell size)，可讓記憶體容量增加得很快。此外，新技術的推出，讓NAND FLASH可以做出3 bit/cell結構，又進一步讓容量增加得更快。
Kinnam Kim指出，預估在2010年以前，採40nm技術，容量達32~64Gb的NAND FLASH，將可大量供應。
長遠的挑戰
對於NAND FLASH往40nm以下，DRAM往50nm以下，在技術上，將有兩大挑戰。其一是黃光微影(Lithography)製程上，最小特徵尺寸的挑戰。其二則是元件性能的挑戰。
所有半導體製程設備中，以微影設備投資最鉅，且技術也走在最前端。為了克服最小特徵尺寸的挑戰，三星自行研發的自我對準／重複曝光兩次(SADP, Self Aligned Double Patterning)的技術，讓原本用於40nm的微影設備，可延用到30nm。
其次，影響元件性能的一個例子是，在位元變小時，由於間距縮短，操作電壓訊號的耦合(Coupling)現象，對鄰近位元容易造成紀錄資料錯誤。對此，目前三星的解決之道是，電荷捕捉(Charge Trap)技術，應用於NAND FLASH記憶體非常有機會。
影響元件性能的第二個例子是，短通道效應(Short Channel Effect)，對此三星則開發出專用之立體位元電晶體(3D Cell Transistor)來改善短通道效應，三星還給予特別命名為HCFET(Hemi Cylindrical FET)。
Kinnam Kim點出，當NAND FLASH縮至20nm時，最有可能的是利用堆疊技術，來舒緩因為位元密度增加所給製程帶來的壓力，特別是黃光微影製程。
Kinnam Kim相信，NAND FLASH很快走入3D FLASH世代。目前三星積極的研發動作，短期已經已經從50nm向前推進到30nm，並上探20nm一路走下去。
NAND FLASH市場快速成長，數位相機的需求是很大的原動力。隨著每年位元數需求成長100%以上，NAND FLASH單位成本也隨之下降，而這又進一步促成MP3、手機、PC及SSD等新應用。
最新趨勢是，NAND FLASH應用於高可靠度的應用領域。過去，NAND FLASH大多應用於對讀寫千次就感到滿意的應用。如今，進入到強調高可靠度的應用，應用於SSD就是此一趨勢的最好說明。
NAND FLASH與硬碟，在大容量上的競賽上，目前得依賴MLC(Multiple Level per Cell)技術，但此技術卻會帶來可靠度較差的缺點。如何在追求「高容量」與「高可靠度」上權衡或妥協，是目前NAND FLASH遇上的天人交戰。
明日之星：PRAM
Kinnam Kim指出，所有非揮發性記憶體技術中，未來最有機會的是，PRAM。他舉出支持這種說法的原因包括PRAM具備尺寸小、可微縮、隨機讀取速度快、操作壽命長等優點。
PRAM需要新的材料，利用硫族化合物(GeSbTe, 簡稱GST)在結晶態與非結晶態，兩種阻值高、低不同的相變化(Phase Change)，區分來當作0與1，進而做為記憶體用途。
如果要以「高速」記憶體來做比較，除了DRAM之外，在非揮發性記憶體中，唯一可以與PRAM相比的只有NOR FLASH。
韓國三星目前PRAM開發進度，已經發表的最新成果為採90nm製程的512Mb PRAM，樣品已經完成，很快可以進入量產。而Intel目前對外公開的是128Mb樣品，也計畫在今(2008)年內量產。
交戰始於：65nm
Kinnam Kim認為，PRAM推進到65nm及45nm的時候，將與NOR FLASH開始競爭。他還大膽預言，利用二極體結構開關(Diode Type Switch)，PRAM可以達到小面積、通大電流的理想，他表示目前材料看來沒有限制，將可以從目前的90nm一路為縮至30nm。而目前研究焦點在於，如何提升加熱效率，而焦耳熱效應(Joule Heating)就是一個重要的研究主題。
所有記憶體技術進入50nm之後，逐漸遇上元件物理機制的基礎性極限。DRAM目前以60nm生產，未來在50nm將遇上大挑戰，技術也越來越難。未來，DRAM市場是否保持成長，Kinnam Kim表示，目前看來並不明朗。唯一解決的辦法就是，開拓新興應用領域，讓記憶體市場有新的成長動能。例如，需要大量資料運算及快速回應的影像即時辨識系統，就是一個例子。
Kinnam Kim指出，PRAM的第一步，將以取代NOR FLASH為目標。長遠來看，PRAM若能改善延長操作壽命及縮小尺寸面積等問題，將更有機會進一步與DRAM及NAND FLASH競爭。
名詞解釋：
相變化記憶體(PCM)發明人為S. R. Ovshinsky，他在1966年代表美國公司Energy Conversion Devices(簡稱"ECD")提出一篇美國專利，他指出，在硫屬化合物(Chalcogenide)中，結晶相與非晶相之間的光學性質及導電度都有顯著的不同，而這兩相間可進行快速、可逆、且穩定的轉換，適合做開關(switching)及記憶(memory)的使用。
用來描述相變化記憶體的名稱相當繁複，除了PCM(Phase Change Memory)外，包括OUM (Ovonic Unified Memory)、PRAM(Phase-change RAM)及CRAM (Chalcogenide RAM)等，其實都是相變化記憶體。
工研院電光所與台灣業者，於2006年組成的PCM聯盟，整合了力晶、南亞、華邦、茂德四家業者，目前已完成4Mb 相變化記憶體(PCM)雛形晶片的設計與製程開發。與三星院士Kinnam Kim在本文所說的PRAM，雖然稱法不同，但相同的都是被大家視為未來記憶體接班人的：相變化記憶體。
