Cypress Semiconductor(NYSE:CY) 公發表2-Mbit 與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory ；nvSRAM ），將Cypress的 nvSRAM系列產品線從16-Kbit 擴展至 8-Mbit 。此全新元件具備20 奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達 20 年的資料維持等產品特色，可為需要持續高速寫入資料，與絕對非揮發資料安全等應用，提供最佳解決方案。需要nvSRAM功能的系統包括： 伺服器、RAID的應用、環境嚴苛的工業控制、以及在汽車、醫療、以及數據通訊系統。
CY14B102 2-Mbit nvSRAM 與CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS環保規章，能直接取代SRAM 、電池供電SRAM 、EPROM與EEPROM 等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件。在啟動電源時，再把資料從非揮發記憶體回存到SRAM 。兩種作業都在軟體的控制下執行。新款 nvSRAMs採用Cypress的 S8(TM) 0.13微米SONOS （Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon ，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。更多 Cypress nvSRAM 系列產品詳細資訊，請瀏覽 www.cypress.com/NVM網站。
Cypress非揮發性記憶體事業部副總裁Robert Dunnigan 表示：「藉由擴增至2 與8Mbit 的 nvSRAM 元件，Cypress以最廣大的行銷通路與最佳的支援，提供市場上最完整的系列產品。nvSRAM提供顧客高速非揮發性記憶體產品，及各種密度更高元件之最佳解決方案，讓各種新應用產品能充份利用其優勢。」
此款2-Mbit 與8-Mbit的 nvSRAMs 產品提供一個即時時脈功能，結合業界最低的待機振盪器電流與最高效能的整合式記憶體，可經由非揮發性記憶體支援，為發生事件對加上時間戳記。
CY14B102 2-Mbit nvSRAM 與CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS環保規章，能直接取代SRAM 、電池供電SRAM 、EPROM與EEPROM 等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件。在啟動電源時，再把資料從非揮發記憶體回存到SRAM 。兩種作業都在軟體的控制下執行。新款 nvSRAMs採用Cypress的 S8(TM) 0.13微米SONOS （Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon ，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。更多 Cypress nvSRAM 系列產品詳細資訊，請瀏覽 www.cypress.com/NVM網站。
Cypress非揮發性記憶體事業部副總裁Robert Dunnigan 表示：「藉由擴增至2 與8Mbit 的 nvSRAM 元件，Cypress以最廣大的行銷通路與最佳的支援，提供市場上最完整的系列產品。nvSRAM提供顧客高速非揮發性記憶體產品，及各種密度更高元件之最佳解決方案，讓各種新應用產品能充份利用其優勢。」
此款2-Mbit 與8-Mbit的 nvSRAMs 產品提供一個即時時脈功能，結合業界最低的待機振盪器電流與最高效能的整合式記憶體，可經由非揮發性記憶體支援，為發生事件對加上時間戳記。
